[发明专利]固态储存装置中已抹除区块的再验证方法

权利要求书

1.一种固态储存装置中已抹除区块的再验证方法，其特征在于，该固态储存装置包括一界面控制电路与一非挥发性记忆体，且该非挥发性记忆体包括一阵列控制电路与一记忆胞阵列组成的多个区块，其中已抹除区块的再验证方法，包括下列步骤：

该界面控制电路针对一选定区块发出一抹除指令至该阵列控制电路，该阵列控制电路对该选定区块执行至少一次抹除步骤；

当该阵列控制电路确认该选定区块已经抹除完成后，传送一抹除完成信息至该界面控制电路；

该界面控制电路于收到该抹除完成信息后，判断该选定区块是否符合一设定条件；

当该选定区块符合该设定条件时，将该选定区块记录为一好的区块；以及

当该选定区块未符合该设定条件时，该界面控制电路进行一选定区块再确认程序；

其中，于该选定区块再确认程序中，读取该选定区块中的数据，并根据非抹除状态的记忆胞数目来将该选定区块记录为该好的区块或者一缺陷区块。

2.如权利要求1所述的已抹除区块的再验证方法，其特征在于，该设定条件为一区块抹除时间，当该区块抹除时间未大于一临限时间时，将该选定区块记录为该好的区块；以及，当该区块抹除时间大于该临限时间时，进行该选定区块再确认程序。

3.如权利要求1所述的已抹除区块的再验证方法，其特征在于，该设定条件为一区块抹除次数，当该区块抹除次数未大于一临限次数时，将该选定区块记录为该好的区块；以及，当该区块抹除次数大于该临限次数时，进行该选定区块再确认程序。

4.如权利要求1所述的已抹除区块的再验证方法，其特征在于，该设定条件为一区块抹除次数与一区块抹除时间，当该区块抹除时间未大一临限时间或该区块抹除次数未大于一临限次数时，将该选定区块记录为该好的区块；以及，当该区块抹除时间大于该临限时间且该区块抹除次数大于该临限次数时，进行该选定区块再确认程序。

5.如权利要求1所述的已抹除区块的再验证方法，其特征在于，于该选定区块再确认程序包括下列步骤：

读取该选定区块中的数据；

当该选定区块中的非抹除状态的记忆胞数目大于一预定数目时，将该选定区块记录为该缺陷区块；以及

当该选定区块中的非抹除状态的记忆胞数目未大于该预定数目时，将该选定区块记录为该好的区块。

6.如权利要求1所述的已抹除区块的再验证方法，其特征在于，于该选定区块再确认程序包括下列步骤：

读取该选定区块中的数据；

当该选定区块中任一条字元线中的非抹除状态的记忆胞数目大于一临限数目时，将该选定区块记录为该缺陷区块；以及

当该选定区块中每一条字元线中的非抹除状态的记忆胞数目皆未大于该临限数目时，将该选定区块记录为该好的区块。

7.如权利要求6所述的已抹除区块的再验证方法，其特征在于，该阵列控制电路提供一读取电压至该记忆胞阵列的该选定区块，以读取该选定区块中的数据，该非抹除状态的记忆胞数目为其临限电压大于该读取电压的记忆胞数目。

8.如权利要求7所述的已抹除区块的再验证方法，其特征在于，该界面控制电路可以根据该记忆胞阵列的一劣化程度来动态地调整该读取电压。