[发明专利]用于应用处理器和存储器集成的薄3D扇出嵌入式晶片级封装（EWLB）

说明书

本发明涉及用于应用处理器和存储器集成的薄3D扇出嵌入式晶片级封装（EWLB）。一种具有多个第一半导体管芯的半导体器件，该第一半导体管芯具有沉积在第一半导体管芯的第一表面上和第一半导体管芯周围的密封剂。在密封剂上和第一半导体管芯的与第一表面相对的第二表面上形成绝缘层。该绝缘层包括在第一半导体管芯上的开口。在第一半导体管芯上在开口内形成第一导电层。在第一导电层上形成第二导电层以形成垂直导电通孔。第二半导体管芯被置于第一半导体管芯上且被电连接到第一导电层。将凸点形成在第一半导体管芯的占位面积外的第二导电层上。第二半导体管芯被置于有效表面或第一半导体管芯的后表面上。

本申请为分案申请，其母案的发明名称为“用于应用处理器和存储器集成的薄3D扇出嵌入式晶片级封装（EWLB）”，申请日为2012年3月8日，申请号为201310156631.8。

优先权要求

本申请要求2012年3月8日提交的编号为61/608,402的美国临时申请的优先权，在此通过引用将该申请并入本文。

技术领域

本发明通常涉及半导体器件，并且更具体地涉及形成包括具有精细间距互连的薄膜互连结构的扇出（fan-out）嵌入式晶片级球栅阵列（Fo-eWLB）的半导体器件和方法。

背景技术

在现代电子产品中通常可找到半导体器件。半导体器件在电子元件的数量和密度上是变化的。分立半导体器件通常包括一类电子元件，例如，发光二极管（LED）、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器和功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。集成半导体器件典型地包含几百到几百万个电子元件。集成半导体器件的例子包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件（CCD）、太阳能电池和数字微镜器件（DMD）。

半导体器件执行广泛的功能，诸如信号处理、高速计算、发送和接收电磁信号、控制电子器件、将太阳光转换为电、和产生用于电视显示的视觉投射。半导体器件在娱乐、通信、功率转换、网络、计算机和消费产品的领域中被找到。半导体器件也在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中被找到。

半导体器件利用了半导体材料的电性质。半导体材料的原子结构允许通过施加电场或基极电流或通过掺杂工艺来操纵其电导率。掺杂向半导体材料中引入杂质来操纵和控制半导体器件的电导率。

半导体器件包含有源和无源电结构。有源结构，包括双极和场效应晶体管，控制电流的流动。通过改变掺杂水平和电场或基极电流的施加，晶体管提升或限制电流的流动。无源结构，包括电阻器、电容器和电感器，建立执行各种电学功能所必需的电压和电流间的关系。无源和有源结构被电连接以形成电路，其使半导体器件能够执行高速计算和其他有用的功能。

半导体器件通常使用两个复杂的制造工艺来制造，即，前端制造和后端制造，均潜在地涉及几百个步骤。前端制造涉及在半导体晶片上形成多个管芯。每个半导体管芯通常是相同的且包含通过电连接有源和无源元件所形成的电路。后端制造涉及从完成的晶片分割各个半导体管芯并且封装管芯以提供结构支撑和环境隔离。如此处使用的术语“半导体管芯”涉及该词语的单数和复数形式两者，且因此可涉及单个半导体器件和多个半导体器件两者。

半导体制造的一个目的是生产更小的半导体器件。更小的器件通常地消耗更低的功率，具有更高的性能，且能被更有效率地生产。另外，更小的半导体器件具有更小的占位面积（footprint）,其对于更小的终端产品是期望的。更小的半导体管芯尺寸可通过前端工艺中的改进所实现，导致具有更小、更高密度的有源和无源元件的半导体管芯。后端工艺可通过电互连和封装材料中的改进而导致具有更小占位面积的半导体器件封装。