[发明专利]半导体装置封装有效
申请号: | 201810446862.5 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN109994433B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 李育颖 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/49 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 | ||
1.一种半导体装置封装,其包括:
载板(carrier);
第一导电柱,其安置于所述载板上,所述第一导电柱包含面向所述载板的下表面、与所述下表面相对的上表面以及在所述上表面与所述下表面之间延伸的侧表面;
第一粘合层,其包围所述第一导电柱的所述侧表面的一部分,所述第一粘合层包括导电粒子和粘合剂;
导电垫,其安置于所述载板上;以及
电介质层,其安置于所述载板上,所述电介质层限定开口暴露所述导电垫的一部分,所述第一粘合层接触并覆盖所述电介质层的上表面的一部分;
其中所述第一导电柱的全部安置于所述电介质层上,以及所述第一导电柱通过所述开口中的所述第一粘合层而电连接到所述导电垫。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,所述导电垫的上表面的第一部分被所述电介质层覆盖且所述导电垫的上表面的第二部分从所述开口暴露。
3.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述第一导电柱的所述下表面位于所述电介质层的所述开口上方,且所述第一导电柱的横向宽度大于所述开口的横向宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一粘合层的一部分安置于所述第一导电柱和所述电介质层之间。
5.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其中所述导电垫的一部分接触所述电介质层且所述导电垫的所述部分被所述电介质层覆盖。
6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一粘合层之第一部分安置于所述第一导电柱的所述下表面与所述电介质层的所述上表面之间,且所述第一粘合层的第二部分接触所述导电垫。
7.根据权利要求5所述的半导体装置封装,其中所述导电垫的横向宽度大于所述开口的横向宽度。
8.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其中所述导电垫的横向宽度大于所述第一导电柱的横向宽度。
9.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一粘合层的一部分安置于所述电介质层的所述上表面上,且所述第一粘合层的所述部分具有倾斜的侧表面。
10.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述导电垫的上表面的第一部分被所述电介质层覆盖,所述导电垫的侧壁接触所述电介质层。
11.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述导电垫的底表面与电介质层的底表面共平面。
12.一种半导体装置封装,其包括:
载板;
导电柱,其安置于所述载板上且包含侧表面;
第一粘合层,其包围所述导电柱的所述侧表面的一部分,所述第一粘合层包括导电粒子和粘合剂;
导电垫,其安置于所述载板上;
电子组件,其安置于所述载板上;
电介质层,其安置于所述载板上且接触所述载板,所述电介质层限定开口暴露所述导电垫和所述第一粘合层;以及
绝缘层,其封装所述导电柱和覆盖所述电子组件的上表面,且暴露所述导电柱的外部接触,其中所述绝缘层接触所述第一粘合层。
13.根据权利要求12所述的半导体装置封装,其中所述电子组件的下表面和侧面被所述绝缘层封装。
14.根据权利要求13所述的半导体装置封装,其进一步包括:
第二导电柱,其安置于所述电子组件下方;及
第二粘合层,其包围所述第二导电柱的侧表面的一部分,其中所述第二粘合层包含导电填充物和绝缘材料,且所述第二粘合层将所述第二导电柱电连接到所述载板,其中所述绝缘层接触所述第二导电柱和所述电子组件的所述下表面。
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