[发明专利]涂胶显影机的加热装置和方法在审
| 申请号： | 201810446108.1 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108630584A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 许邦泓;赵弘文;杨然富 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 顶针 热板 涂胶显影机 步进马达 加热装置 晶圆 空间位置 穿孔 加热 降低设备 上下移动 同一工艺 温度处理 逐渐降低 工艺腔 加热源 配套的 使用率 腔内 穿过 移动 生产 | ||
1.一种涂胶显影机的加热装置，其特征在于：加热装置由热板、顶针和步进马达组合而成；
所述热板上设置有和所述顶针配套的穿孔；
所述顶针穿过所述穿孔进行上下移动；
所述步进马达控制所述顶针的移动且控制所述顶针的顶部位于所述热板上的位置；
晶圆在加热时放置在所述顶针的顶部，所述热板提供加热源，从所述热板的表面往上的空间范围内在抽气气流的作用下温度逐渐降低，通过所述步进马达控制所述顶针顶部的位置来设定所述晶圆所处的空间位置并进而设置所述晶圆的工艺温度。
2.如权利要求1所述的涂胶显影机的加热装置，其特征在于：所述顶针的根数为至少3根。
3.如权利要求1所述的涂胶显影机的加热装置，其特征在于：所述晶圆的工艺温度包括多个。
4.如权利要求3所述的涂胶显影机的加热装置，其特征在于：所述热板的表面的温度最高，所述晶圆的工艺温度小于等于所述热板的表面温度。
5.如权利要求3所述的涂胶显影机的加热装置，其特征在于：所述晶圆位于所述热板表面时，所述热板通过热传导方式、对流和辐射的方式对所述晶圆加热。
6.如权利要求3所述的涂胶显影机的加热装置，其特征在于：所述晶圆位于所述热板表面上方对应的空间位置时，所述热板通过辐射或对流方式对所述晶圆加热。
7.如权利要求1所述的涂胶显影机的加热装置，其特征在于：所述晶圆的材料为硅或砷化镓。
8.如权利要求1所述的涂胶显影机的加热装置，其特征在于：所述加热装置对涂布在所述晶圆表面的旋涂材料进行加热。
9.一种涂胶显影机的加热方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、进行加热装置的设置，将所述加热装置设置为由热板、顶针和步进马达组合而成的结构；
所述热板上设置有和所述顶针配套的穿孔；
所述顶针穿过所述穿孔进行上下移动；
所述步进马达控制所述顶针的移动且控制所述顶针的顶部位于所述热板上的位置；
步骤二、将晶圆放置到所述顶针的顶部，对所述热板提供加热源，从所述热板的表面往上的空间范围内在抽气气流的作用下温度逐渐降低，通过所述步进马达控制所述顶针顶部的位置来设定所述晶圆所处的空间位置并进而设置所述晶圆的工艺温度。
10.如权利要求9所述的涂胶显影机的加热方法，其特征在于：所述顶针的根数为至少3根。
11.如权利要求9所述的涂胶显影机的加热方法，其特征在于：所述晶圆的工艺温度包括多个。
12.如权利要求11所述的涂胶显影机的加热方法，其特征在于：所述热板的表面的温度最高，所述晶圆的工艺温度小于等于所述热板的表面温度。
13.如权利要求11所述的涂胶显影机的加热方法，其特征在于：所述晶圆位于所述热板表面时，所述热板通过热传导方式、对流和辐射的方式对所述晶圆加热。
14.如权利要求11所述的涂胶显影机的加热方法，其特征在于：所述晶圆位于所述热板表面上方对应的空间位置时，所述热板通过辐射或对流方式对所述晶圆加热。
15.如权利要求9所述的涂胶显影机的加热方法，其特征在于：所述加热装置对涂布在所述晶圆表面的旋涂材料进行加热。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
