[发明专利]一种高导磁胚表面处理工艺

权利要求书

1.一种高导磁胚表面处理工艺，包括依次连接的进料端(16)、输送段(17)和加工段(18)，其特征在于：所述输送段(17)包括水平运输带(1)、翻转组件(2)和合拢组件(3)，所述翻转组件(2)包括至少两道使磁胚从水平翻转成竖直状态的螺纹导柱(4)，所述合拢组件(3)包括多道和所述螺纹导柱(4)连通的滑动槽(6)、连接于所述滑动槽(6)的端部用于使多块磁胚相互贴合的推动装置(7)，且多道所述滑动槽(6)的端部逐渐靠拢设置。

2.根据权利要求1所述的一种高导磁胚表面处理工艺，其特征在于：所述水平运输带(1)包括用于将加工成型的磁胚输送至翻转组件(2)上的输送带(8)和用于纠正磁胚在所述输送带(8)上位置的对位组件(9)。

3.根据权利要求2所述的一种高导磁胚表面处理工艺，其特征在于：所述对位组件(9)包括对称设置于所述输送带(8)两侧的转动盘(10)，所述转动盘(10)包括一根竖直设置的转动轴(11)和固定连接于所述转动轴(11)上的多个推动板(12)，多个所述推动板(12)沿所述转动轴(11)周向均匀布设，且所述推动板(12)的底端与所述输送带(8)上表面之间的间距小于所述磁胚的厚度，所述推动板(12)与所述转动轴(11)之间还设置有使推动板(12)远离转动轴(11)并复位的伸缩组件(13)。

4.根据权利要求3所述的一种高导磁胚表面处理工艺，其特征在于：所述转动轴(11)上连接有转动驱动件(14)，所述伸缩组件(13)一端固定连接于所述推动板(12)上，另一端固定连接于转动盘(10)上，且多个所述伸缩组件(13)的伸缩行程各不相同。

5.根据权利要求1所述的一种高导磁胚表面处理工艺，其特征在于：所述螺纹导柱(4)上沿磁胚运动方向向上开设有螺纹槽(5)，所述螺纹槽(5)与输送带(8)连接的一端开口为水平设置，所述螺纹槽(5)与合拢组件(3)连接的一端开口为竖直设置。

6.根据权利要求5所述的一种高导磁胚表面处理工艺，其特征在于：所述螺纹槽(5)的深度大于等于磁胚长度的一半，且所述螺纹槽(5)的宽度小于等于磁胚的厚度的两倍。

7.根据权利要求1所述的一种高导磁胚表面处理工艺，其特征在于：所述滑动槽(6)的数目等于所述螺纹导柱(4)的数目，所述滑动槽(6)的宽度大于所述磁胚的厚度且小于所述磁胚厚度的两倍。

8.根据权利要求7所述的一种高导磁胚表面处理工艺，其特征在于：所述合拢组件(3)还包括用于连接所述滑动槽(6)和所述加工段(18)的连接板(15)，所述推动装置(7)设置于所述连接板(15)的至少一侧，且所述推动装置(7)的行程为可调设置。

9.根据权利要求1所述的一种高导磁胚表面处理工艺，其特征在于：所述加工段(18)包括用于打磨所述磁胚端部的打磨装置（19），所述打磨装置（19）上还安装有助磨装置（20），所述助磨装置（20）上设有助磨件（21）。

10.根据权利要求9所述的一种高导磁胚表面处理工艺，其特征在于：所述助磨件（21）为将重量百分比为8:36:13:43的精钢石超细粉、树脂粉、碳化硅超细粉、氧化铬粉混合均匀，倒入模具中并进行烘烤3-3.5h，保持烘烤温度为80-125℃，完成后进行冷却并将成品助磨件（21）固定连接于所述助磨装置（20）上。