[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置

说明书

本申请提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，该显示基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板的外围区域的金属层，以及设置在所述金属层远离所述衬底基板一侧，且覆盖所述衬底基板的钝化层；在所述衬底基板的电容区域内，所述钝化层的两侧分别设置有电容电极；其中，所述钝化层在所述电容区域的厚度小于所述钝化层在所述外围区域的厚度。本申请提供的显示基板中的钝化层在外围区域的部分厚度较厚，抗压性能较好，在电容区域的部分厚度较薄，不会对存储电容的容量造成影响，保证了显示装置的显示效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

显示基板在制造完成后，需要将显示基板上的信号线与驱动电路进行绑定(bonding)，即将信号线与驱动电路压合连接。但是在该bonding的过程中，显示基板外围区域中的钝化层可能会被压断，导致钝化层靠近衬底基板一侧的金属层暴露于水和氧气中，金属层易发生腐蚀导致断裂。

相关技术中，为了避免位于外围区域的钝化层在bonding的过程中被压断，一般会适当增加显示基板中所形成的钝化层的厚度，以增加钝化层的抗压性能。

但是，由于钝化层位于显示区域中电容区域的部分还需作为存储电容的介质层，因此增加钝化层的厚度会导致该存储电容的电容量变小，影响显示装置的显示效果。

发明内容

本发明提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中的钝化层厚度增加导致存储电容的容量变小的问题。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：

衬底基板，设置在所述衬底基板的外围区域的金属层，以及设置在所述金属层远离所述衬底基板一侧，且覆盖所述衬底基板的钝化层；

在所述衬底基板的电容区域内，所述钝化层的两侧分别设置有电容电极；

其中，所述钝化层在所述电容区域的厚度小于所述钝化层在所述外围区域的厚度。

可选的，所述电容区域位于所述衬底基板的显示区域内，所述外围区域位于所述显示区域之外；

所述钝化层在所述电容区域的厚度小于所述钝化层在除所述电容区域之外的其他区域的厚度。

可选的，所述显示基板还包括：

设置在所述衬底基板与所述钝化层之间的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述衬底基板的显示区域内，所述显示区域包括所述电容区域；

所述金属层，设置在所述钝化层靠近所述衬底基板一侧的电容电极，以及所述薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成；

或者，所述金属层，设置在所述钝化层靠近所述衬底基板一侧的电容电极，以及所述薄膜晶体管的栅极通过一次构图工艺形成。

可选的，所述钝化层由聚硅氧烷或聚硅氮烷材料制成。

另一方面，提供了一种显示基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板的外围区域形成金属层；

在形成有所述金属层的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的钝化层，所述钝化层在所述外围区域的厚度大于所述钝化层在电容区域的厚度；

其中，在所述电容区域内，所述钝化层的两侧分别形成有电容电极。

可选的，所述在形成有所述金属层的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的钝化层，包括：

在形成有所述金属层的衬底基板上沉积钝化薄膜；

采用半色调掩膜板对所述钝化薄膜进行曝光，其中，所述半色调掩膜板的半曝光区域在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述电容区域；