[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号: | 201810436886.2 | 申请日: | 2018-05-09 |
| 公开(公告)号: | CN108550582B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
| 发明(设计)人: | 方金钢;成军;赵策;丁录科;刘宁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
衬底基板,设置在所述衬底基板的外围区域的金属层,以及设置在所述金属层远离所述衬底基板一侧,且覆盖所述衬底基板的钝化层,所述钝化层由聚硅氧烷或聚硅氮烷材料制成;
在所述衬底基板的电容区域内,所述钝化层的两侧分别设置有电容电极;
其中,所述钝化层在所述电容区域的厚度为所述钝化层在除所述电容区域之外的其他区域的厚度的一半;
所述显示装置还包括:设置在所述衬底基板与所述钝化层之间的薄膜晶体管,以及辅助电极,所述薄膜晶体管位于所述衬底基板的显示区域内,所述显示区域包括所述电容区域,所述外围区域位于所述显示区域之外,所述电容电极在所述衬底基板上的正投影位于所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影之内;
所述薄膜晶体管包括:源极,漏极,栅极,有源层以及栅绝缘层;所述显示装置还包括层间介电层,彩膜层,平坦层以及电极层,所述平坦层露出所述电容区域,所述电极层包括有机发光二极管阳极层,位于所述电容区域且与所述阳极层同层的电容电极,以及位于所述外围区域且与所述阳极层同层的引线电极,所述阳极层通过过孔与所述源极连接;所述电容区域还包括与所述源极和所述漏极同层的电容电极,所述钝化层位于与所述阳极层同层的电容电极以及与所述源极和所述漏极同层的电容电极之间,且与所述阳极层同层的电容电极以及与所述源极和所述漏极同层的电容电极均与所述钝化层接触;
所述薄膜晶体管为顶栅结构的晶体管,所述显示装置还包括:与所述辅助电极同层设置的遮光层,所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影,位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内;所述平坦层和所述电极层依次设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧,所述彩膜层设置在所述阳极层远离所述衬底基板的一侧;其中,所述有源层,所述栅绝缘层,所述栅极以及所述层间介电层沿远离所述衬底基板的方向层叠,所述源极和所述漏极位于所述层间介电层远离所述衬底基板的一侧,所述源极和漏极分别通过所述层间介电层中的接触过孔与所述有源层连接;
或者,所述薄膜晶体管为底栅结构的晶体管,所述薄膜晶体管包括的所述栅极与所述辅助电极同层设置,所述有源层在所述衬底基板上的正投影,位于所述栅极在所述衬底基板上的正投影内;所述彩膜层,所述平坦层和所述电极层依次设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧;其中,所述栅极,所述栅绝缘层,所述有源层,所述层间介电层沿远离所述衬底基板的方向层叠,所述源极和所述漏极位于所述层间介电层远离所述衬底基板的一侧,所述源极和所述漏极分别通过所述层间介电层中的接触过孔与所述有源层连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述金属层,设置在所述钝化层靠近所述衬底基板一侧的电容电极,以及所述薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





