[发明专利]发光设备及包括发光设备的显示设备在审
申请号: | 201810435551.9 | 申请日: | 2018-05-09 |
公开(公告)号: | CN110473890A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 金大贤;姜锺赫;李周悦;任铉德;赵显敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/40 |
代理公司: | 11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王达佐;刘铮<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光元件 反射电极 接触电极 绝缘层 第二端部 第一端部 发光设备 基板 隔壁 显示设备 开口 暴露 外部 | ||
公开了发光设备及包括发光设备的显示设备,所述发光设备包括基板、发光元件、一个或多个分隔壁、第一反射电极、第二反射电极、第一接触电极、绝缘层和第二接触电极,其中:发光元件位于基板上,发光元件具有布置在纵向方向上的第一端部部分和第二端部部分;一个或多个分隔壁设置在基板上,一个或多个分隔壁与发光元件间隔开;第一反射电极与发光元件的第一端部部分相邻;第二反射电极与发光元件的第二端部部分相邻;第一接触电极连接至第一反射电极和发光元件的第一端部部分;绝缘层位于第一接触电极上,绝缘层具有将发光元件的第二端部部分和第二反射电极暴露于外部的开口;第二接触电极位于绝缘层上。
技术领域
本公开涉及发光设备及包括发光设备的显示设备。
背景技术
发光二极管(在下文中,称为“LED”)在恶劣的环境条件下表现出相对优异的耐用性,并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。最近,已经积极开展了将LED应用于各种发光设备的研究。
作为研究的一部分,已经开发了通过使用其中生长有无机晶体结构(例如,基于氮化物的半导体)的结构来制造在微米尺度或纳米尺度级别上为小的超小型杆状LED的技术。例如,杆状LED可以以可形成自发光显示面板的像素等的小尺寸进行制造。
在背景技术部分中公开的以上信息用于加强对本发明构思的背景技术的理解,并且因此,其可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的一些示例性实施方式的方面包括能够改善发光效率的发光设备以及包括发光设备的显示设备。
根据本发明的一些示例性实施方式,发光设备包括基板、发光元件、一个或多个分隔壁、第一反射电极、第二反射电极、第一接触电极、绝缘层和第二接触电极,其中:发光元件位于基板上,发光元件具有布置在纵向方向上的第一端部部分和第二端部部分;一个或多个分隔壁设置在基板上,一个或多个分隔壁与发光元件间隔开;第一反射电极与发光元件的第一端部部分相邻;第二反射电极与发光元件的第二端部部分相邻;第一接触电极连接至第一反射电极和发光元件的第一端部部分;绝缘层位于第一接触电极上,绝缘层具有将发光元件的第二端部部分和第二反射电极暴露于外部的开口;第二接触电极位于绝缘层上,第二接触电极通过所述开口连接至第二反射电极和发光元件的第二端部部分。
根据一些示例性实施方式,第一反射电极和第二反射电极中的任何一个位于分隔壁上。
根据一些示例性实施方式,第一反射电极和第二反射电极以及分隔壁包括不同的材料。
根据一些示例性实施方式,分隔壁包括绝缘材料,以及第一反射电极和第二反射电极包括导电材料。
根据一些示例性实施方式,当在平面上观察时,第一接触电极与第一反射电极重叠,以及第二接触电极与第二反射电极重叠。
根据一些示例性实施方式,发光元件是成形为具有微米尺度或纳米尺度的圆柱体或多棱柱的发光二极管。
根据一些示例性实施方式,发光元件包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层,其中,第一导电半导体层中掺杂有第一导电掺杂剂,第二导电半导体层中掺杂有第二导电掺杂剂,有源层设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间。
根据一些示例性实施方式,第一接触电极和第二接触电极中的任何一个包括逸出功小于4.1eV的导电材料,以及第一接触电极和第二接触电极中的另一个包括逸出功大于7.5eV的导电材料。
根据一些示例性实施方式,第一反射电极和第二反射电极中的每个位于分隔壁上。
根据一些示例性实施方式,发光设备还包括位于基板与发光元件之间的支撑构件。
根据一些示例性实施方式,支撑构件包括绝缘材料。
根据一些示例性实施方式,发光设备还包括位于发光元件的外周表面上的绝缘膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的