[发明专利]发光设备及包括发光设备的显示设备在审
| 申请号： | 201810435551.9 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110473890A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 金大贤;姜锺赫;李周悦;任铉德;赵显敏 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/40 |
| 代理公司： | 11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王达佐;刘铮<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光元件 反射电极 接触电极 绝缘层 第二端部 第一端部 发光设备 基板 隔壁 显示设备 开口 暴露 外部 | ||
1.发光设备，包括：
基板；
发光元件，位于所述基板上，所述发光元件具有布置在纵向方向上的第一端部部分和第二端部部分；
一个或多个分隔壁，设置在所述基板上，所述一个或多个分隔壁与所述发光元件间隔开；
第一反射电极，与所述发光元件的所述第一端部部分相邻；
第二反射电极，与所述发光元件的所述第二端部部分相邻；
第一接触电极，连接至所述第一反射电极和所述发光元件的所述第一端部部分；
绝缘层，位于所述第一接触电极上，所述绝缘层具有将所述发光元件的所述第二端部部分和所述第二反射电极暴露于外部的开口；以及
第二接触电极，位于所述绝缘层上，所述第二接触电极通过所述开口连接至所述第二反射电极和所述发光元件的所述第二端部部分。
2.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一反射电极和所述第二反射电极中的任何一个位于所述分隔壁上。
3.根据权利要求2所述的发光设备，其中，所述第一反射电极和所述第二反射电极以及所述分隔壁包括不同的材料。
4.根据权利要求3所述的发光设备，其中，所述分隔壁包括绝缘材料，以及所述第一反射电极和所述第二反射电极包括导电材料。
5.根据权利要求1所述的发光设备，其中，当在平面上观察时，所述第一接触电极与所述第一反射电极重叠，以及所述第二接触电极与所述第二反射电极重叠。
6.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述发光元件是成形为具有微米尺度或纳米尺度的圆柱体或多棱柱的发光二极管。
7.根据权利要求6所述的发光设备，其中，所述发光元件包括：
第一导电半导体层，所述第一导电半导体层中掺杂有第一导电掺杂剂；
第二导电半导体层，所述第二导电半导体层中掺杂有第二导电掺杂剂；以及
有源层，设置在所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间。
8.根据权利要求7所述的发光设备，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极中的任何一个包括逸出功小于4.1eV的导电材料，以及所述第一接触电极和所述第二接触电极中的另一个包括逸出功大于7.5eV的导电材料。
9.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一反射电极和所述第二反射电极中的每个位于所述分隔壁上。
10.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：
支撑构件，位于所述基板与所述发光元件之间。
11.根据权利要求10所述的发光设备，其中，所述支撑构件包括绝缘材料。
12.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：
绝缘膜，位于所述发光元件的外周表面上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
