[发明专利]一种阵列基板及其制作方法有效
| 申请号: | 201810434245.3 | 申请日: | 2018-05-03 |
| 公开(公告)号: | CN108598091B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
| 发明(设计)人: | 王幸 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 | ||
本发明提出了一种阵列基板及其制作方法,本发明通过在所述阵列基板上设置第一源漏极以及第二源漏极,所述第一源漏极和所述第二源漏极通过第一过孔连接,解决了显示面板下边框边窄后信号延迟的技术问题,保证了柔性显示装置的正常显示。
技术领域
本发明涉及平板显示器领域,特别涉及一种阵列基板及其制作方法。
背景技术
低温多晶硅(Low temperature poly-silicon,简称LTPS),由于其具有高的电子迁移率,可以有效的减小薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)的器件的面积,进而提升像素的开口率,增大面板显示亮度的同时可以降低整体的功耗,使得面板的制造成本大幅度降低,目前已成为液晶显示领域炙手可热的技术。
随着显示技术的不断发展,研发人员开发出了可折叠或卷起的柔性显示装置,与传统的刚性显示装置(即制作在玻璃等不可弯曲的基材上的显示装置)相比,柔性显示装置具有诸多优势,如重量轻、体积小、携带更为方便;更高的耐冲击性以及更强的抗震性能。随着显示技术的不断发展,柔性显示装置因其自身的可弯曲、可折叠特性,越来越多的应用于曲面显示领域、可穿戴显示领域等,因此,也成为近年来显示领域的关注热点。
目前,柔性显示装置主要采用有源矩阵低温多晶硅薄膜晶体管进行驱。而为了适应显示区面积提高的需求,下边框需要变的更窄并且耐弯折,由此导致现有许多柔性显示面板出现信号延迟,显示画面出现异常等不良的技术问题。本发明针对该技术问题提出了以下方案。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制作方法,以解决现有显示面板出现信号延迟、显示画面异常等技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种阵列基板,其中,所述阵列基板包括:
基板;
第一源漏极,形成于所述基板上;
第一绝缘层,形成于所述第一源漏极上;
有源层,形成于所述第一绝缘层上,所述有源层包括经离子掺杂的掺杂区;
第二绝缘层,形成于所述有源层上;
第一栅极,形成于所述第二绝缘层上;
第三绝缘层,形成于所述第一栅极上;
第二栅极,形成于所述第三绝缘层上;
第四绝缘层,形成于所述第二栅极上;
第二源漏极,形成于所述第四绝缘层上;
第一过孔、第二过孔,部分所述第二源漏极通过所述第一过孔与所述掺杂区连接,部分所述第二源漏极通过所述第二过孔与所述第一源漏极连接。
根据本发明一优选实施例,所述第一过孔贯穿所述第四绝缘层、所述第三绝缘层以及所述第二绝缘层;
所述第二过孔贯穿所述第四绝缘层、所述第三绝缘层、所述第二绝缘层以及部分所述第一绝缘层。
根据本发明一优选实施例,所述基板与所述第一源漏极之间,所述阵列基板还包括:
柔性基板薄膜层,形成于所述基板上;
阻挡层,形成于所述柔性基板薄膜层上。
根据本发明一优选实施例,所述阵列基板还包括第三过孔,所述第三过孔贯穿所述第四绝缘层、所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述阻挡层,以及部分所述柔性基板薄膜层。
根据本发明一优选实施例,所述第三过孔位于显示面板的弯折区域,所述第三过孔填充有有机绝缘层材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810434245.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种阵列基板及制备方法
- 下一篇:阵列基板制造方法及阵列基板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





