[发明专利]一种阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201810434245.3 申请日: 2018-05-03
公开(公告)号: CN108598091B 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 王幸 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

基板;

第一源漏极,形成于所述基板上;

第一绝缘层,形成于所述第一源漏极上;

有源层,形成于所述第一绝缘层上,所述有源层包括经离子掺杂的掺杂区;

第二绝缘层,形成于所述有源层上;

第一栅极,形成于所述第二绝缘层上;

第三绝缘层,形成于所述第一栅极上;

第二栅极,形成于所述第三绝缘层上;

第四绝缘层,形成于所述第二栅极上;

第一过孔、第二过孔;

第二源漏极,形成于所述第四绝缘层上,部分所述第二源漏极通过所述第一过孔与所述掺杂区连接,部分所述第二源漏极通过所述第二过孔与所述第一源漏极连接;

其中,所述第二源漏极包括第二源漏极第一部分和第二源漏极第二部分,所述第二源漏极第一部分通过所述第一过孔与所述有源层的掺杂区连接,所述第二源漏极第二部分通过所述第二过孔与所述第一源漏极连接;

所述第二源漏极第二部分靠近所述阵列基板弯折区域设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔贯穿所述第四绝缘层、所述第三绝缘层以及所述第二绝缘层;

所述第二过孔贯穿所述第四绝缘层、所述第三绝缘层、所述第二绝缘层以及部分所述第一绝缘层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述基板与所述第一源漏极之间,所述阵列基板还包括:

柔性基板薄膜层,形成于所述基板上;

阻挡层,形成于所述柔性基板薄膜层上。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第三过孔,所述第三过孔贯穿所述第四绝缘层、所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述阻挡层,以及部分所述柔性基板薄膜层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第三过孔位于显示面板的弯折区域,所述第三过孔填充有有机绝缘层材料。

6.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括步骤:

提供一基板,在所述基板上形成第一源漏极层;

在所述第一源漏极层上依次形成第一绝缘层、有源层,

其中,所述有源层包括掺杂区;

在所述有源层上形成第二绝缘层、第一栅极;

在所述第一栅极上形成第三绝缘层、第二栅极;

在所述第二栅极上形成第四绝缘层;

在所述阵列基板上形成第一过孔、第二过孔以及第三过孔;

在所述第四绝缘层上形成第二源漏极,使得部分所述第二源漏极与所述掺杂区域连接,部分所述第二源漏极与所述第一源漏极连接;

其中,所述第二源漏极包括第二源漏极第一部分和第二源漏极第二部分,所述第二源漏极第一部分通过所述第一过孔与所述有源层的掺杂区连接,所述第二源漏极第二部分通过所述第二过孔与所述第一源漏极连接;

所述第二源漏极第二部分靠近所述阵列基板弯折区域设置。

7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述第一过孔贯穿所述第四绝缘层、所述第三绝缘层以及所述第二绝缘层;

所述第二过孔贯穿所述第四绝缘层、所述第三绝缘层、所述第二绝缘层以及部分所述第一绝缘层。

8.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,在所述基板上形成第一源漏极层之前,还包括:

在所述基板上形成柔性基板薄膜层;

在所述柔性基板薄膜层上形成阻挡层。

9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述阵列基板还包括第三过孔,所述第三过孔贯穿所述第四绝缘层、所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述阻挡层,以及部分所述柔性基板薄膜层。

10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述第三过孔位于显示面板的弯折区域,所述第三过孔填充有有机绝缘层材料。

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