[发明专利]栅极环绕纳米片场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种栅极环绕纳米片场效应晶体管，其特征在于，包括：

源极电极；

漏极电极；

多个沟道区，在所述源极电极与所述漏极电极之间延伸；

栅极堆叠，位于所述源极电极与所述漏极电极之间以及所述多个沟道区中的两个相邻的沟道区之间；以及

一对反向内部间隔物，位于所述两个相邻的沟道区之间，

其中所述源极电极及所述漏极电极各自包括第一部分及第二部分，所述第一部分包括垂直侧壁部分及在所述两个相邻的沟道区之间从所述垂直侧壁部分延伸的侧向延伸部分，

其中所述一对反向内部间隔物的每一个反向内部间隔物包括第一内部间隔物段及第二内部间隔物段，所述第二内部间隔物段在垂直方向上通过所述源极电极的所述侧向延伸部分或所述漏极电极的所述侧向延伸部分中的一者而与所述第一内部间隔物段间隔开，且

其中所述反向内部间隔物中的每一者的所述第一内部间隔物段及所述第二内部间隔物段与所述源极电极的所述第一部分及所述漏极电极的所述第一部分中的一者的所述垂直侧壁部分相邻。

2.根据权利要求1所述的栅极环绕纳米片场效应晶体管，其特征在于，所述源极电极及所述漏极电极中的每一者包含实质上不含有缺陷的晶体材料。

3.根据权利要求1所述的栅极环绕纳米片场效应晶体管，其特征在于，所述源极电极的所述第一部分及所述漏极电极的所述第一部分包含未经掺杂的Si。

4.根据权利要求1所述的栅极环绕纳米片场效应晶体管，其特征在于，所述源极电极的所述第二部分及所述漏极电极的所述第二部分包含经掺杂的Si。

5.根据权利要求1所述的栅极环绕纳米片场效应晶体管，其特征在于，所述侧向延伸部分具有2nm到10nm的侧向长度及2nm到6nm的高度。

6.根据权利要求5所述的栅极环绕纳米片场效应晶体管，其特征在于，所述第一内部间隔物段及所述第二内部间隔物段中的每一者具有小于或实质上等于所述侧向延伸部分的侧向长度的侧向长度，且其中所述反向内部间隔物中的每一者的所述第一内部间隔物段与所述第二内部间隔物段之间的垂直间距实质上等于所述侧向延伸部分的高度。

7.根据权利要求1所述的栅极环绕纳米片场效应晶体管，其特征在于，所述反向内部间隔物中的每一者包含选自由氧化物材料及氮化物材料组成的材料群组的介电材料，且其中所述介电材料具有介于2到8之间的K值。

8.根据权利要求1所述的栅极环绕纳米片场效应晶体管，其特征在于，

所述两个相邻的沟道区之间的垂直间距为8nm到20nm，

所述两个相邻的沟道区中的每一者的宽度为6nm到60nm，且

所述两个相邻的沟道区中的每一者的厚度为3nm到8nm。

9.根据权利要求1所述的栅极环绕纳米片场效应晶体管，其特征在于，所述栅极环绕纳米片场效应晶体管选自由nMOS FET、pMOS FET及其组合组成的群组。