[发明专利]一种改善LED芯片切割污染的方法在审
申请号: | 201810428781.2 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN110459506A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 刘晓;郑军;赵霞焱;徐现刚 | 申请(专利权)人: | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 261061山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管芯 高压清洗 红边 浸泡 切割 表面呈现 电极金属 高速冲击 光电参数 清洗效果 芯片暴露 冲击波 膨胀波 清洗机 清洗面 贴膜机 烘烤 水气 半切 蓝膜 流体 喷雾 水中 贴附 污染 溶解 残留 明亮 测试 | ||
一种改善LED芯片切割污染的方法,包括如下步骤:a)半切操作;b)将光电参数的测试;c)通过贴膜机贴附在蓝膜上;d)进行烘烤;e)进行全切操作;f)纯水浸过所有管芯;g)进行高压清洗;h)进行扩膜。通过在全切后放进装有纯水的容器里浸泡,同时由于容器中纯水是没过管芯的,因此完全避免芯片暴露在空气中,通过隔绝与空气的接触,防止空气、水与电极金属的反应,解决造成的管芯红边污染。浸泡一段时间的管芯可以使残留的切割水充分溶解在纯水中,再通过高压清洗,清洗机充分利用水气二流体的作用,使喷雾高速冲击清洗面,冲击时产生的冲击波和膨胀波可在低破坏下发挥高清洗效果,使LED管芯的表面呈现较明亮的界面,不会产生红边等现象。
技术领域
本发明涉及LED芯片制造技术领域,具体涉及一种改善LED芯片切割污染的方法。
背景技术
LED作为21世纪的照明新光源,同样亮度下,半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10,而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源,光效高,工作电压低,耗电量小,体积小,可平面封装,易于开发轻薄型产品,结构坚固且寿命很长,光源本身不含汞、铅等有害物质,无红外和紫外污染,不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此,半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点,如同晶体管替代电子管一样,半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯,也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度,还是从减少环境污染的角度,LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。
LED芯片发光效率高,颜色范围广,使用寿命长,已被广泛应用于大屏显示、景观照明、交通信号灯、汽车状态显示等各个领域。随着集成电路技术的进步和发展,产品更趋向于小型化、多功能化,集成度要求越来越高,芯片尺寸减小、切割槽宽度减小,芯片的厚度越来越薄,制程中应用到的新材料越来越多,这些日新月异的变化都对LED芯片的外观质量及表面洁净度也提出了更高的要求。
在LED芯片制备工艺中,切割需要将经过光刻、镀膜、减薄等工艺制程后的整个芯片分割成所需求尺寸的单一晶粒,是半导体发光二极管芯片制备工艺中不可或缺的一道工序。对于GaAs基LED芯片,传统的锯片切割仍然是应用最广泛的切割方式。锯片切割是用高速旋转(30000-40000r/min)的金刚刀片按工艺需求设定好的程序将芯片完全锯开成单一的晶粒。金刚刀在高速旋转切割时,其表面突起的锋利的高硬度金刚砂颗粒对切割部进行铲挖。 锯片切割作业中,芯片是通过粘附在蓝膜绷环上被吸附在锯片机工作盘上的,因锯片切割的刀片旋转速度很高会产生大量的热,为保证金刚刀片的质量以及冲走切割道中残留的衬底碎屑,切割作业中始终有高压冷却水在喷刀降温以及冲洗切割道,在高压水的冲击下再加上切割出的砷化镓碎屑很容易粘附在芯片表面,造成芯片表面的污染。这个问题也一直是锯片切割作业中经常发生的异常。
现有很多专利都涉及到LED芯片不同的切割方法,但是对切割中容易造成的LED芯片表面污染异常,没有涉及更没有相关具体的解决处理方法。
发明内容
本发明为了克服以上技术的不足,提供了一种切割后的管芯表面呈现明亮界面,不会产生红边等现象的改善LED芯片切割污染的方法。
本发明克服其技术问题所采用的技术方案是:
一种改善LED芯片切割污染的方法,包括如下步骤:
a)半切操作,使LED芯片正面电极切割形成纵横交错的若干切割槽;
b)将半切后的LED芯片通过光电参数测试台进行光电参数的测试;
c)将LED芯片正面电极朝上放置,使其背面电极向下通过贴膜机贴附在蓝膜上;
d)将贴蓝膜后的LED芯片放置在加热平板上进行烘烤;
e)将烘烤后的芯片放置在锯片机工作盘上进行全切操作,使LED芯片按切割槽为基准在蓝膜上切割形成若干个独立的管芯;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造