[发明专利]一种改善LED芯片切割污染的方法

权利要求书

1.一种改善LED芯片切割污染的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)半切操作，使LED芯片正面电极切割形成纵横交错的若干切割槽；

b)将半切后的LED芯片通过光电参数测试台进行光电参数的测试；

c)将LED芯片正面电极朝上放置，使其背面电极向下通过贴膜机贴附在蓝膜上；

d)将贴蓝膜后的LED芯片放置在加热平板上进行烘烤；

e)将烘烤后的芯片放置在锯片机工作盘上进行全切操作，使LED芯片按切割槽为基准在蓝膜上切割形成若干个独立的管芯；

f)将切割后的管芯放置在装满纯水的容器内，容器内的纯水浸过所有管芯；

g)将浸泡在纯水中的管芯取出后放置在清洗机内进行高压清洗；

h)将高压清洗后的管芯通过扩膜机进行扩膜，使各个管芯之间的间距增大。

2.根据权利要求1所述的改善LED芯片切割污染的方法，其特征在于：步骤a)中半切中各个切割槽之间以间隔条数为2-12刀的间隔进行切割，半切中切割刀按照先横向后竖向的顺序交叉切割，步骤e)中全切时按照先横向后竖向的顺序交叉切割。

3.根据权利要求1所述的改善LED芯片切割污染的方法，其特征在于：步骤a)中半切刀高设定为100-150μm，切割速度为5-100mm/s，切割槽宽度为20-30μm，半切的深度为芯片厚度的10%～25%，步骤e)中全切的刀高设定为40-100μm，切割速度为5-50mm/s，切割槽宽度为20-27μm，全切的深度为芯片厚度的105%-110%。

4.根据权利要求1所述的改善LED芯片切割污染的方法，其特征在于：步骤b)中的测试周期为N×M，N为半切时横向设置的切割槽之间的间隔条数，M为半切时纵向设置的切割槽之间的间隔条数。

5.根据权利要求1所述的改善LED芯片切割污染的方法，其特征在于：步骤c)中贴膜机的加热温度为50±5℃，选用SPV-224 220mm×100m的蓝膜进行贴膜作业。

6.根据权利要求1所述的改善LED芯片切割污染的方法，其特征在于：步骤d)中加热平板的加热温度为70±5℃，烘烤时间为110±10s。

7.根据权利要求1所述的改善LED芯片切割污染的方法，其特征在于：步骤f)中先通过氮气枪将LED芯片正面和背面各吹扫20-25s后再放入纯水中浸泡，浸泡时间为10-15min。

8.根据权利要求1所述的改善LED芯片切割污染的方法，其特征在于：步骤g)中清洗机中清洗时间为40-50s，清洗后使用氮气枪对LED芯片正面和背面进行吹干，吹干时间为30-40s。

9.根据权利要求1所述的改善LED芯片切割污染的方法，其特征在于：步骤h)中扩膜机的扩膜温度为75±5℃，扩膜时间10-15s。