[发明专利]一种半导体存储装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的形成方法，其特征在于，包含：

提供一基底；

在该基底内形成沿着一第一方向延伸的多个栅极；

在该基底上形成一半导体层，覆盖该些栅极；

在该半导体层内形成一插塞，该插塞位于两相邻栅极之间；

其中，该插塞的材质不同于该半导体层的材质，该插塞包括硅磷，

其中，该插塞的形成包含在该半导体层中形成一插塞孔，在该半导体层上形成一导体层，填入该插塞孔，在该导体层上形成一牺牲层，以及进行一蚀刻制作工艺，同时移除该导体层与该牺牲层；

进行一沉积制作工艺，在该半导体层上形成一堆叠结构；以及

图案化该堆叠结构，形成多个位线，使得该些位线之一直接接触该插塞。

2.依据权利要求1所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，在该蚀刻制作工艺后，该导体层上形成突出的一尖角。

3.依据权利要求1所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，该蚀刻制作工艺是利用一蚀刻剂，该蚀刻剂对该牺牲层与该导体层的蚀刻速率相同。

4.依据权利要求1所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，该蚀刻制作工艺包含：

第一蚀刻制作工艺，移除部分的该牺牲层至暴露出该导体层的顶面；以及

第二蚀刻制作工艺，完全移除该牺牲层与位于该半导体层上的该导体层。

5.依据权利要求1所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，在该蚀刻制作工艺后，该导体层上形成平坦的一顶面。

6.一种半导体存储装置的形成方法，其特征在于，包含：

提供一基底；

在该基底内形成沿着一第一方向延伸的多个栅极；

在该基底上形成一半导体层，覆盖该些栅极；

在该半导体层内形成一插塞，该插塞位于两相邻栅极之间；

其中，该插塞的材质不同于该半导体层的材质，该插塞包括硅磷，

其中，该插塞的形成包含在该半导体层中形成一插塞孔，在该半导体层上形成一导体层，填入该插塞孔，以及进行一蚀刻制作工艺，移除该导体层；

在该蚀刻制作工艺进行后，进行一氧处理制作工艺；

进行一清洗制作工艺，移除导体层上形成的尖角；

进行一沉积制作工艺，在该半导体层上形成一堆叠结构；以及

图案化该堆叠结构，形成多个位线，使得该些位线之一直接接触该插塞。

7.一种半导体存储装置的形成方法，其特征在于，包含：

提供一基底；

在该基底内形成沿着一第一方向延伸的多个栅极；

在该基底上形成一半导体层，覆盖该些栅极；

在该半导体层内形成一插塞，该插塞位于两相邻栅极之间；

其中，该插塞的材质不同于该半导体层的材质，该插塞包括硅磷，

其中，该插塞的形成包含在该半导体层中形成一插塞孔，在该半导体层上形成一导体层，填入该插塞孔，以及进行一蚀刻制作工艺，移除该导体层；

在该蚀刻制作工艺进行后，进行一机械研磨制作工艺，移除导体层上形成的尖角；

进行一沉积制作工艺，在该半导体层上形成一堆叠结构；以及

图案化该堆叠结构，形成多个位线，使得该些位线之一直接接触该插塞。

8.一种半导体存储装置的形成方法，其特征在于，包含：

提供一基底；

在该基底内形成沿着一第一方向延伸的多个栅极；

在该基底上形成一半导体层，覆盖该些栅极；

在该半导体层上形成一保护层；

在该半导体层内形成一插塞，该插塞位于两相邻栅极之间；

其中，该插塞的材质不同于该半导体层的材质，该插塞包括硅磷，

其中，该插塞的形成包含在该半导体层中形成一插塞孔，在该半导体层上形成一导体层，填入该插塞孔，以及进行一蚀刻制作工艺，移除该导体层；

在进行该蚀刻制作工艺后，进行一机械研磨制作工艺移除该保护层与导体层上形成的尖角；

进行一沉积制作工艺，在该半导体层上形成一堆叠结构；以及

图案化该堆叠结构，形成多个位线，使得该些位线之一直接接触该插塞。