[发明专利]一种电池板及其制造方法有效
| 申请号: | 201810424107.7 | 申请日: | 2018-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN108630784B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
| 发明(设计)人: | 张军 | 申请(专利权)人: | 深圳中富电路股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/048;H01L31/052 |
| 代理公司: | 44525 深圳迈辽知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赖耀华 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装胶层 玻璃盖板 太阳能电池 树脂 背板 金属导热柱 电池板 耐用型 隔热 凹孔 导热 太阳能电池片 氟碳树脂层 环形密封圈 环氧树脂胶 戊烯共聚物 层压处理 依次层叠 真空间隙 下表面 丁烯 粘结 乙烯 背面 制造 裸露 镶嵌 | ||
1.一种电池板的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)提供一太阳能电池树脂背板,在所述太阳能电池树脂背板上铺设第一EVA封装胶层;
2)在所述第一EVA封装胶层上铺设乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层;
3)在所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层上铺设第一导热封装胶层,所述第一导热封装胶层包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为10-20重量份的导热纳米颗粒;
4)在所述第一导热封装胶层上铺设太阳能电池片层;
5)在所述太阳能电池片层上铺设第一隔热封装胶层,在所述第一隔热封装胶层上铺设EVA封装胶层,在所述EVA封装胶层上铺设第二隔热封装胶层,所述第一隔热封装胶层和所述第二隔热封装胶层均包括EVA以及相对于所述EVA100重量份为20-25重量份的隔热材料;
6)在第一玻璃盖板的上表面的四周边缘形成第一环形沟槽,接着在所述第二隔热封装胶层上铺设所述第一玻璃盖板,接着进行层压处理;
7)在所述太阳能电池树脂背板的背面开设多个凹孔,每个所述凹孔中均镶嵌一金属导热柱,并使得每个所述金属导热柱的下端暴露于所述太阳能电池树脂背板,在所述太阳能电池树脂背板的下表面涂覆环氧树脂胶以完全覆盖所述金属导热柱,在所述环氧树脂胶下表面粘结氟碳树脂层,去除部分的氟碳树脂层和部分的环氧树脂胶,以使得每个所述金属导热柱的底表面的一部分裸露;
8)在第二玻璃盖板的下表面的四周边缘形成与所述第一环形沟槽相对设置的第二环形沟槽,通过一环形密封圈将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板粘结在一起,所述环形密封圈上设置有抽气口,利用所述抽气口将所述第一玻璃盖板和所述第二玻璃盖板之间的间隙抽至真空状态,然后利用密封胶密封所述抽气口。
2.根据权利要求1所述的电池板的制造方法,其特征在于:所述太阳能电池树脂背板的材质为PET、PEN以及PBT中的一种,所述太阳能电池树脂背板的厚度为600-900微米。
3.根据权利要求1所述的电池板的制造方法,其特征在于:所述第一EVA封装胶层的厚度为200-400微米,所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封装胶层的厚度为100-300微米,所述第一导热封装胶层的厚度为200-300微米。
4.根据权利要求3所述的电池板的制造方法,其特征在于:所述导热纳米颗粒的材质为氧化铝、氮化硼、氧化镁、氮化铝以及碳化硅中的一种,所述导热纳米颗粒的粒径为100-200纳米。
5.根据权利要求1所述的电池板的制造方法,其特征在于:所述太阳能电池片层包括多个呈阵列排布的太阳能电池片,所述太阳能电池片为单晶硅电池、多晶硅电池、非晶硅电池、砷化镓电池以及铜铟镓硒电池中的一种。
6.根据权利要求1所述的电池板的制造方法,其特征在于:所述第一隔热封装胶层的厚度为80-100微米,所述EVA封装胶层的厚度为300-400微米,所述第二隔热封装胶层的厚度为60-90微米,所述隔热材料为膨胀珍珠岩粉末、玻璃棉粉末、膨胀蛭石粉末以及硅酸盐粉末中的一种。
7.根据权利要求6所述的电池板的制造方法,其特征在于:所述凹孔的顶表面暴露所述第一导热封装胶层,所述凹孔和所述金属导热柱的直径均为3-6毫米,相邻凹孔之间的间距为5-10毫米,所述环氧树脂胶的厚度为300-500微米,所述氟碳树脂层的厚度为100-150微米,所述金属导热柱的底表面的裸露部分为圆形孔,所述圆形孔的直径为1-3毫米。
8.根据权利要求1所述的电池板的制造方法,其特征在于:所述间隙的高度为2-5毫米。
9.一种电池板,其特征在于,采用权利要求1-8任一项所述的方法制备形成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





