[发明专利]一种用于处理氧化铟锡电极表面的简单高效的方法

权利要求书

1.一种用于处理氧化铟锡电极表面的简单高效的方法，其特征在于，将氧化铟锡(ITO)电极进行清洗后，置于异丙醇中浸泡24小时以上，然后清洗，吹干。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化铟锡电极在浸泡异丙醇之前的清洗过程包括依次采用清洗剂、丙酮、异丙醇进行各10分钟的超声清洗。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化铟锡电极在浸泡异丙醇之后的清洗过程为用去离子水冲洗，氮气吹干。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括将清洗吹干的氧化铟锡电极采用固定流程的氧离子处理4分钟。

5.权利要求1～4任一项所述处理氧化铟锡电极表面的方法在制备有机或聚合物发光器件中的应用，其特征在于，先采用上述方法对氧化铟锡电极进行表面处理，然后依次在电极表面层叠各功能层，得到有机或聚合物发光器件。

6.如权利要求5所述的应用，其特征在于，采用权利要求1～4任一项所述的方法进行氧化铟锡电极的表面处理后，依次在所得氧化铟锡电极表面蒸镀空穴传输层、发光层与电子传输层、阴极界面层和阴极金属，得到有机电致发光二极管。

7.如权利要求6所述的应用，其特征在于，所述空穴传输层为TPD或NPB、发光层与电子传输层为Alq₃、阴极界面层为LiF、阴极金属为Al。

8.如权利要求6所述的应用，其特征在于，TPD或NPB的蒸镀速率控制在0.2～0.3nm/s，厚度为35或者50nm；Alq3的蒸发速率控制在0.2～0.3nm/s，厚度为35或者60nm；LiF的蒸镀速率为0.004～0.006nm/s，厚度为1nm；金属层Al的蒸镀速率控制在0.6～1.0nm/s，厚度为150nm。

9.如权利要求5所述的应用，其特征在于，采用权利要求1～4任一项所述的方法进行氧化铟锡电极的表面处理后，依次在所得氧化铟锡电极表面旋涂聚合物阳极界面层或空穴注入层以及聚合物发光层、然后再蒸镀与底电极ITO相交叉的顶电极，得到聚合物电致发光二极管。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述聚合物阳极界面层或空穴注入层为PEDOT:PSS；所述聚合物发光层为MEH-PPV；顶电极为钙和铝。