[发明专利]缺陷检测方法及缺陷检测系统

说明书

本公开内容提供一种缺陷检测方法及一种缺陷检测系统。所述缺陷检测方法包括：对由晶片检验工具扫描的参考晶片的连续的管芯的多个扫描图像应用排序滤波器，以获得多个参考管芯图像；收集由所述晶片检验工具扫描的目标晶片的目标管芯的多个目标管芯图像；将所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像进行比较，以根据所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像中的对应像素的像素值的差异来检测多个缺陷；以及从所检测到的所述缺陷中排除多个共有缺陷，以检测印刷在所述目标晶片上的至少一个掩模缺陷，其中所述共有缺陷是通过所述晶片检验工具对所述目标晶片实行晶片检验而获得。据此，能够即时地检测出掩模上的缺陷并且节省成本。

技术领域

本公开内容涉及一种用于检测缺陷的方法及一种用于检测缺陷的系统。

背景技术

光刻(photolithography)是半导体制作的主要工艺之一。在光刻工艺中，使用光将几何图案从光掩模转移到衬底或晶片上的感光性光刻胶。晶片上的每一管芯往往是通过相同的光掩模来印刷。因此，光掩模缺陷所导致的晶片缺陷会重复出现在每一管芯上，因此无法通过例如科磊(KLA)或UVision等基于管芯对管芯比较(die-to-die comparison)的现有晶片检验工具来检测。如此一来，光掩模上存在缺陷可能在所述光掩模缺陷通过掩模检验而被检测到及被修复之前造成显著的产率损失。

通常每周实行一次掩模检验来修补光掩模上的缺陷。然而，掩模检验是会拖延工艺的昂贵的介入性操作，且因此频繁实行掩模检验是一种浪费。为将产率损失最小化及降低成本，在不进行掩模检验的条件下尽可能早地检测到光掩模上的缺陷是所期望的。

发明内容

本公开内容的实施例提出一种缺陷检测方法，包括：对由晶片检验工具扫描的参考晶片的连续的管芯的多个扫描图像应用排序滤波器，以获得多个参考管芯图像；收集由所述晶片检验工具扫描的目标晶片的目标管芯的多个目标管芯图像；将所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像进行比较，以根据所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像中的对应像素的像素值的差异来检测多个缺陷；以及从所检测到的所述缺陷中排除多个共有缺陷，以检测印刷在所述目标晶片上的至少一个掩模缺陷。其中，所述共有缺陷是通过所述晶片检验工具对所述目标晶片实行晶片检验而获得。

本公开内容的实施例提出一种缺陷检测系统，包括连接装置、存储媒体以及处理器。连接装置被配置成连接晶片检验工具以接收由所述晶片检验工具扫描的扫描图像。存储媒体被配置成存储由所述连接装置接收的所述扫描图像。处理器耦接于所述连接装置及所述存储媒体，且被配置成执行指令来实行以下步骤：对由所述晶片检验工具扫描的参考晶片的连续的管芯的所述扫描图像应用排序滤波器，以获得多个参考管芯图像；收集由所述晶片检验工具扫描的目标晶片的目标管芯的多个目标管芯图像；将所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像进行比较，以根据所述多个目标管芯图像与所述多个参考管芯图像中的对应像素的像素值的差异来检测多个缺陷；以及从所检测到的所述缺陷中排除多个共有缺陷，以检测印刷在所述目标晶片上的至少一个掩模缺陷。其中，所述共有缺陷是通过所述晶片检验工具对所述目标晶片实行晶片检验而获得。

本公开内容的实施例提出一种适用于缺陷检测系统的缺陷检测方法，包括：使用晶片检验工具对目标晶片实行晶片检验，以获得多个第一缺陷；将由所述晶片检验工具扫描的所述目标晶片的目标管芯的多个目标管芯图像与一组参考管芯图像进行比较，以获得多个第二缺陷；以及通过从所述多个第二缺陷排除所述多个第一缺陷来检测印刷在所述目标晶片上的至少一个掩模缺陷。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开内容的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据本公开内容实施例的缺陷检测系统的示意性方块图。

图2示出根据本公开内容实施例的由晶片检验工具扫描的扫描图像的示意图。