[发明专利]一种高导电率的羟基/环氧基外修饰石墨烯透明导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高导电率的羟基/环氧基外修饰石墨烯透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

(1)将溴化碘或者无水三氯化铁与石墨混合加热制备三阶石墨插层化合物，使三阶石墨插层化合物在湍流或者亚/超临界流体中进行化学反应，从而高效制备三原子层高质量石墨烯；

(2)采用氧化剂和浓酸体系对三原子层高质量石墨烯的外面两层进行氧化修饰，得到可分散在常见溶剂中的羟基/环氧基外修饰三原子层石墨烯材料，运用线棒涂膜法与旋涂法制备三原子厚度的薄膜后进行还原，得到高导电率透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述化学反应所处的环境为高速旋转产生的湍流或者高温高压下的亚/超临界流体。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述化学反应为溴化碘与水的反应，或者三氯化铁与双氧水的反应。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述氧化剂和浓酸体系为氯酸盐与浓硫酸，氯酸盐与浓硝酸，氯酸盐与浓硫酸和浓硝酸混酸体系。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述石墨烯的外面两层进行氧化修饰为制备的三层石墨烯的外面两层与外界氧化剂发生反应，中间一层保持石墨烯本征状态。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述羟基/环氧基外修饰三原子层石墨烯材料指三原子层石墨烯表面修饰上的含氧官能团种类为羟基和环氧基，有利于还原处理。