[发明专利]通过薄层转移封装的电磁辐射探测器

权利要求书

1.电磁辐射探测器(100)，包括：

-悬浮在衬底(101)之上的至少一个膜(108)，所述至少一个膜被配置为吸收入射的电磁辐射并将所述电磁辐射转换为热量；以及

-盖(110)，所述盖在所述电磁辐射探测器的光谱灵敏度范围内是透明的，且封闭包含所述至少一个膜的密封腔体(115)；

其特征在于：

-所述盖(110)的厚度(E)小于或等于10μm；

-所述盖被悬浮在所述衬底之上，至少支承在围绕所述膜的支撑壁(106)上；以及

-所述探测器(100)具有在所述盖和所述支撑壁之间相互嵌套的第一金属密封层和第二金属密封层(112A、112B)，外围接合区(112C)在所述第一金属密封层和所述第二金属密封层之间延伸；

其中，所述盖(1110)具有一个或多个贯通开口(1102)，并且封闭层(111)覆盖所述盖。

2.根据权利要求1所述的探测器(100)，其特征在于：

-所述盖(110)被悬浮在所述衬底之上，支承在所述支撑壁(106)上并支承在位于所述支撑壁之间的支撑柱(104)上；以及

-所述探测器包括成对的第一金属密封垫和第二金属密封垫(114A、114B)，每对第一金属密封垫和第二金属密封垫位于所述盖和一个所述支撑柱(104)之间，每对第一金属密封垫和第二金属密封垫中的第一金属密封垫和第二金属密封垫叠置并由对应的内部接合区(114C)分开。

3.根据权利要求2所述的探测器(100)，其特征在于，所述探测器包括悬浮在所述衬底之上的多个膜(108)，在所述衬底平面的每个维度上，膜分布间距(P)等于所述支撑柱(104)的分布间距。

4.根据权利要求2所述的探测器(100)，其特征在于，所述膜(108)被悬浮在所述衬底之上，每个膜支承在支承柱(105)上；以及对于每个膜，一对第一金属密封垫和第二金属密封垫(114A、114B)位于一个所述支承柱上，使得所述支承柱还形成用于所述盖的支撑柱(104)。

5.根据权利要求1所述的探测器(100)，其特征在于，所述膜(108)被悬浮在所述衬底之上，每个膜支承在支承柱(105)上，以及对于每个膜，在一个所述支承柱(105)之上的所述盖中存在贯通开口(1102)。

6.根据权利要求1所述的探测器(100)，其特征在于，所述第一金属密封层和所述第二金属密封层(112A、112B)的组合厚度在1.5μm到2.5μm之间。

7.封装电磁辐射探测器(100)的至少一个敏感元件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

a)制造被称为传感器堆叠(117)的堆叠，所述堆叠包括：

-被称为主衬底的第一衬底(101)；

-在所述主衬底之上延伸的至少一个膜(108)，所述至少一个膜形成所述电磁辐射探测器的至少一个敏感元件，并被配置为吸收入射的电磁辐射并将所述电磁辐射转换为热量；

-支撑壁(106)，所述支撑壁在所述主衬底之上延伸并且包围所述至少一个膜；以及

-第一金属密封层(112A)，所述第一金属密封层位于与所述主衬底相对的一侧上的所述支撑壁的上表面之上；

b)在被称为转移衬底的第二衬底(130)之上沉积被称为盖层(132)的层，所述盖层在所述电磁辐射探测器的光谱灵敏度范围内是透明的且具有小于或等于10μm的厚度；

c)在所述盖层上制造第二金属密封层(112B)；

d)将所述转移衬底(130)转移到所述主衬底(101)上，以将所述第一金属密封层(112A)和所述第二金属密封层(112B)对准并将所述第一金属密封层和所述第二金属密封层彼此接合；以及

e)移除所述转移衬底(130)；

其中，所述方法还包括蚀刻所述盖层(132)的步骤，以在所述盖层(132)中形成至少一个贯通开口(1102)。