[发明专利]一种晶片加热装置及晶片加热装置的制造方法在审
| 申请号: | 201810404797.X | 申请日: | 2018-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN108962782A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
| 发明(设计)人: | 王海兵 | 申请(专利权)人: | 盐城中自科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
| 地址: | 224000 江苏省盐城市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 通孔 导热 耐热橡胶 蛇形 均热板 内腔 圆杆 迂回 晶片加热装置 导热片 基底座 片加热 上表面 种晶 制造 加热电阻丝 绝热 错位设置 加热需求 加热装置 局部位置 上端固定 阵列排布 板板面 导热件 绝热层 可拼接 橡胶头 圆筒状 插装 固接 晶片 均热 竖向 下端 下压 相配 加热 匹配 穿过 合并 | ||
1.一种晶片加热装置,其特征在于:包括均热板(1)、基底座(7)、加热电阻丝(8)、四根立柱(6)以及多个导热件,所述的均热板(1)水平设置且其板面按阵列排布设置有多个通孔,均热板(1)内部设置有蛇形迂回内腔,所述的蛇形迂回内腔与所述的多个通孔相配合并错位设置,所述的加热电阻丝(8)匹配布置在蛇形迂回内腔内并采用外接电源供电,均热板(1)上表面每个通孔对应位置固定有耐热橡胶套(2),每个所述的耐热橡胶套(2)为圆筒状,所述的多个导热件均包括导热圆杆(3)及导热片(4),多根所述的导热圆杆(3)分别紧密穿过一个耐热橡胶套(2)并竖向插装在对应的通孔内,每根导热圆杆(3)下端水平固定一个导热片(4),多个所述的导热片(4)可拼接成整张,每根导热圆杆(3)上端固定一个绝热橡胶头(5),所述的基底座(7)间隔设置于均热板(1)下方,基底座(7)上表面为平面并设有绝热层(7-1),均热板(1)下表面四角通过四根立柱(6)与基底座(7)上表面固接。
2.根据权利要求1所述的一种晶片加热装置,其特征在于:所述的均热板(1)包括上下设置的薄盖板(1-2)及厚主板(1-1),所述的薄盖板(1-2)及厚主板(1-1)板面分别按阵列排布对应设置有多个圆孔(1-3),所述的厚主板(1-1)上表面设置有蛇形迂回凹槽(1-4),所述的蛇形迂回凹槽(1-4)与厚主板(1-1)对应所述的多个圆孔(1-3)相配合并错位设置,薄盖板(1-2)下表面与厚主板(1-1)上表面粘接固定将蛇形迂回凹槽(1-4)封闭成蛇形迂回内腔,同时薄盖板(1-2)的多个圆孔(1-3)与厚主板(1-1)的多个圆孔(1-3)对接成多个通孔。
3.根据权利要求1或2所述的一种晶片加热装置,其特征在于:所述的均热板(1)及多个导热件均采用同种导热陶瓷材料制成。
4.根据权利要求3所述的一种晶片加热装置,其特征在于:每个所述的导热件的导热圆杆(3)及导热片(4)制为一体。
5.根据权利要求3所述的一种晶片加热装置,其特征在于:每个所述的导热件的导热圆杆(3)侧壁沿其长度方向设有一条限位卡槽(3-1),所述的均热板(1)的每个通孔内壁固定有一个限位卡条(9),所述的限位卡条(9)与所述的限位卡槽(3-1)配合设置,使导热圆杆(3)只能在对应的通孔内滑动而不能转动。
6.根据权利要求3所述的一种晶片加热装置的制造方法,其特征在于:所述的制造方法包括如下步骤:
步骤一:分别预制与薄盖板(1-2)、厚主板(1-1)及导热件相应的模具一、模具二及模具三,并分别向模具一、模具二及模具三的型腔内浇注同种导热陶瓷的液态原料,冷却成型后拆除模具一、模具二及模具三制成薄盖板(1-2)、厚主板(1-1)及多个导热件,其中每个导热件的导热圆杆(3)及导热片(4)一体成型;
步骤二:在厚主板(1-1)的蛇形迂回凹槽(1-4)内铺设加热电阻丝(8),加热电阻丝(8)通过导线与外部的电源插头连接,之后将薄盖板(1-2)与厚主板(1-1)通过树脂胶粘接固定;
步骤三:在均热板(1)上表面每个通孔对应位置通过耐高温粘结剂粘接固定耐热橡胶套(2);
步骤四:将多个导热件的导热圆杆(3)上端由下向上穿过均热板(1)的通孔紧密插装在对应的耐热橡胶套(2)内;
步骤五:取基底座(7)将其上表面磨平并贴附绝热层(7-1),在四根立柱(6)两端涂抹耐高温粘结剂,并通过四根立柱(6)将均热板(1)与基底座(7)粘接固定,多个导热件的导热片(4)位于均热板(1)及基底座(7)之间,在每根导热圆杆(3)上端通过耐高温粘结剂粘接固定绝热橡胶头(5)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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