[发明专利]内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法

说明书

本发明涉及一种内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法。该内嵌式触控阵列基板包括：基板(10)；设于基板(10)上的低温多晶硅薄膜晶体管阵列包括图案化的遮光层(11)和图案化的源漏极层(17)；设于所述低温多晶硅TFT阵列上的图案化的平坦层(18)；设于平坦层(18)上的图案化的底部透明电极(22)；设于底部透明电极(22)上的图案化的钝化层(23)；设于钝化层(23)上的图案化的顶部透明电极(24)；源漏极层(17)包括与上方底部透明电极(22)相连接的第一走线(171)，所述遮光层(11)包括作为触控信号线的第二走线(111)，所述第二走线(111)与上方的第一走线(171)相连接。本发明减少一道光罩，减少3次成膜，制程简化，成本降低。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法。

背景技术

触控显示面板根据结构不同可划分为：触控电路覆盖于液晶盒上式(On Cell)，触控电路内嵌在液晶盒内式(In Cell)、以及外挂式。内嵌式触控显示面板具有成本较低、厚度较薄等优点，受到各大面板厂家青睐，已演化为未来触控技术的主要发展方向。

参见图1，其为一种现有内嵌式触控阵列基板的剖面展开示意图。目前高解析度内嵌式触控(In-Cell Touch)已成为低温多晶硅(LTPS)LCD显示面板主流，目前内嵌式触控多采用底部透明电极(BITO)22作为触控信号电极，使用独立金属(Metal)线作为触控(Touch)信号线，触控信号线多采用独立的第三金属层(M3)20制作而成。与非内嵌式(Non In-Cell)相比较，需要增加第一绝缘层19&第三金属层20、第二绝缘层21(IL1&M3、IL2)三次成膜、两道光罩(Mask)制程，制造成本、不良率也随之增加。

现有内嵌式触控阵列基板主要包括：基板10，设于基板10上的低温多晶硅薄膜晶体管阵列，设于低温多晶硅TFT阵列上的平坦层18，以及设于平坦层18上的第一绝缘层19，可作为触控信号线的第三金属层20，第二绝缘层21，可作为触控信号电极的底部透明电极22，钝化层23，以及可作为像素电极的顶部透明电极24；低温多晶硅薄膜晶体管阵列主要包括遮光层11，缓冲层12，多晶硅层13，栅极绝缘层14，栅极层15，层间介质层16，以及源漏极层17。

目前内嵌式触控低温多晶硅LCD显示面板的TFT结构以及制造工艺主要包括：

(1)形成遮光层(LS)11：遮光层成膜→光刻(Photo)→蚀刻→剥离(Strip)，形成遮光层图案；在基板10上形成遮光层11，遮光层11一般为金属层，利用光罩制程图案化遮光层11，剥离光阻；

(2)形成多晶硅层(P-Si)13：3L成膜→准分子激光退火(ELA)→光刻→干蚀刻→剥离；在遮光层11上形成缓冲层12，例如SiNx/SiOx，之后在缓冲层12上形成多晶硅层13，然后图案化多晶硅层13，剥离光阻；

(3)NCD：光刻→NCD离子注入(IMP)→剥离；对多晶硅层13进行沟道掺杂，形成沟道；

(4)NP：光刻→NP离子注入→剥离；对多晶硅层13进行N型离子重掺杂，形成NMOS沟道两侧的源极区和漏极区；

(5)形成栅极绝缘层14&栅极层15(GI&Gate)：栅极绝缘层14&栅极层15成膜→光刻→蚀刻→轻掺杂漏极区(LDD)离子注入；形成栅极绝缘层14和栅极层15，然后图案化栅极层15和栅极绝缘层14，形成TFT的栅极以及扫描线等结构，通过离子注入形成轻掺杂漏极区；

(6)Pp：光刻→Pp离子注入→剥离；对多晶硅层13进行P型离子重掺杂，形成PMOS沟道两侧的源极区和漏极区；

(7)形成层间介质层(ILD)16：层间介质层成膜→快速热退火(RTA)→光刻→干蚀刻→剥离；形成层间介质层16，图案化；