[发明专利]内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法

权利要求书

1.一种内嵌式触控阵列基板，其特征在于，包括：

基板(10)；

设于基板(10)上的低温多晶硅薄膜晶体管阵列，所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列包括图案化的遮光层(11)和图案化的源漏极层(17)；

设于所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列上的图案化的平坦层(18)；

设于平坦层(18)上的图案化的底部透明电极(22)；

设于底部透明电极(22)上的图案化的钝化层(23)；

设于钝化层(23)上的图案化的顶部透明电极(24)；

所述源漏极层(17)包括与底部透明电极(22)相连接的第一走线(171)，所述遮光层(11)包括作为触控信号线的第二走线(111)，所述第二走线(111)与第一走线(171)相连接。

2.如权利要求1所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列包括：

设于基板(10)上的图案化的遮光层(11)；

设于基板(10)和遮光层(11)上的图案化的缓冲层(12)；

设于缓冲层(12)上的图案化的多晶硅层(13)；

设于多晶硅层(13)和缓冲层(12)上的图案化的栅极绝缘层(14)；

设于栅极绝缘层(14)上的图案化的栅极层(15)；

设于栅极层(15)上的图案化的层间介质层(16)；

设于层间介质层(16)上的图案化的源漏极层(17)。

3.如权利要求2所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述缓冲层(12)设有接触孔，以用于第一走线(171)连接第二走线(111)。

4.如权利要求2所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层(14)设有过孔，以用于第一走线(171)连接第二走线(111)。

5.如权利要求2所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述层间介质层(16)设有过孔，以用于第一走线(171)连接第二走线(111)。

6.如权利要求1所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述平坦层(18)设有过孔，以用于底部透明电极(22)连接第一走线(171)。

7.如权利要求1所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述平坦层(18)和钝化层(23)分别设有过孔以用于所述顶部透明电极(24)连接源漏极层(17)。

8.如权利要求1所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述底部透明电极(22)和顶部透明电极(24)为氧化铟锡电极。

9.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1～8任一项所述的内嵌式触控阵列基板。

10.一种内嵌式触控阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板(10)上形成遮光层(11)，图案化遮光层(11)，形成作为触控信号线的第二走线(111)；

形成缓冲层(12)及多晶硅层(13)，图案化多晶硅层(13)；

图案化缓冲层(12)，形成用于第二走线(111)连接第一走线(171)的接触孔；

对多晶硅层(13)进行沟道掺杂；

对多晶硅层(13)进行N型离子重掺杂；

形成栅极绝缘层(14)和栅极层(15)，图案化栅极层(15)和栅极绝缘层(14)，栅极绝缘层(14)形成用于第二走线(111)连接第一走线(171)的过孔；

对多晶硅层(13)进行P型离子重掺杂；

形成层间介质层(16)并使其图案化，形成用于第二走线(111)连接第一走线(171)的过孔；

形成源漏极层(17)并使其图案化，形成用于与底部透明电极(22)相连接的第一走线(171)；

形成平坦层(18)并使其图案化，形成用于底部透明电极(22)连接第一走线(171)的过孔；

形成底部透明电极(22)，并使其图案化；

形成钝化层(23)，并使其图案化；

形成顶部透明电极(24)，并使其图案化。