[发明专利]激光系统在审

专利信息
申请号: 201810399543.3 申请日: 2018-04-28
公开(公告)号: CN108808427A 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 张俊霖;叶人豪;张汉龙;傅中其;刘柏村;陈立锐;郑博中 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01S3/00 分类号: H01S3/00;G03F7/20
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;张福根
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 激光放大器 监测器 探测激光 可操作 输出埠 输入埠 激光光束 激光系统 激光源 放大激光光束 穿过 光束路径 探测光束
【说明书】:

一种激光系统,包含:激光源、激光放大器及剩余增益监测器。激光源可操作以提供激光光束。激光放大器包含输入埠及输出埠,且可操作以放大激光光束,激光光束沿主要光束路径从输入埠穿过激光放大器至输出埠。剩余增益监测器可操作以提供探测激光光束,探测激光光束沿探测光束路径从输出埠穿过激光放大器至输入埠,其中剩余增益监测器系根据探测激光光束来计算激光放大器的剩余增益。

技术领域

本公开涉及一种激光系统,特别涉及一种可减少并监测剩余增益的激光系统。

背景技术

电子产业已经历不断成长的更小且更快电子装置的需求,电子装置同时要能够支援更多愈加复杂且精密的功能。因此,在半导体产业中持续有制造低成本、高性能且低功率的集成电路的趋势。至此,通过缩小半导体集成电路的尺寸(例如最小部件尺寸),这些目标已达成了很大的部分,藉此改善了生产效率并降低相关成本。然而,缩小尺寸也引进更加复杂的半导体制造程序。因此,为实现半导体集成电路及装置中的持续进步,需要在半导体制造程序及技术上有相似的进步。

举例而言,半导体光刻工艺可使用光刻模板(例如光掩模(photomask或reticle)),以光学地将图案转移至基底上。此工艺可通过将辐射源经过中间的光掩模投射在具有感光材料(例如光致抗蚀剂)涂层的基底上来完成。可通过此光刻工艺所显影的最小部件尺寸受限于所投射的辐射源的波长。有鉴于此,引进了极紫外光(EUV)光源及光刻工艺。此外,极紫外光光刻工艺不需要应用多重显影技术即可达到最小部件尺寸,而可节省制造成本。

然而,在极紫外光产生系统中产生极紫外光(或辐射)可说是能源密集且难以控制的工艺。仅作为一范例,制造出极紫外光的方法包含利用激光系统产生激光光束来照射材料,进而辐射出极紫外光。在放大激光光束之后,激光系统可能还具有剩余能量余留在本身的增益介质中。当激光光束的一部分沿激光光束路径反射并返回至增益介质中时,此剩余能量可能会对激光系统造成伤害。逆向反射的激光光束从增益介质接收剩余增益并放大。此放大的反射激光光束可能产生额外的热能,需要进行散热否则可能使得能量位准太强,而导致激光系统中的光学构件损坏。此外,剩余增益可能会引起连锁放大器中的自激光效应,影响顺向激光脉冲的时间域效能。当激光脉冲冲击靶材材料时,可能更进一步影响靶材材料的形成,进而使极紫外光的产生恶化。因此,业界对于能够在激光系统中准确监测剩余增益及/或减少剩余增益的工具及技术有很大的关注。

发明内容

本公开实施例提供一种系统,包含:激光源、激光放大器及剩余增益监测器。激光源可提供激光光束。激光放大器包含输入埠及输出埠,且可放大激光光束,激光光束沿主要光束路径从输入埠通过激光放大器至输出埠。剩余增益监测器可提供探测激光光束,探测激光光束沿探测光束路径从输出埠通过激光放大器至输入埠,并返回剩余增益监测器,其中剩余增益监测器系根据探测激光光束来计算激光放大器的剩余增益。

本公开实施例提供一种系统,包含:激光源、极紫外光槽、第一增益介质、第二增益介质、第一剩余增益监测模块、第二剩余增益监测模块以及控制模块。激光源产生激光脉冲,激光脉冲沿激光路径前进。极紫外光槽接收激光脉冲以产生极紫外光,并反射激光脉冲的一部分作为反射激光脉冲。第一增益介质沿激光路径位于激光源与极紫外光槽之间。第二增益介质沿激光路径位于第一增益介质与极紫外光槽之间,其中反射激光脉冲沿激光路径通过第二增益介质及第一增益介质。第一剩余增益监测模块产生第一探测激光脉冲,第一探测激光脉冲沿第一探测路径经过第一增益介质,第一剩余增益监测模块根据第一探测激光脉冲产生第一剩余增益资料。第二剩余增益监测模块产生第二探测激光脉冲,第二探测激光脉冲沿第二探测路径经过第二增益介质,第二剩余增益监测模块根据第二探测激光脉冲产生第二剩余增益资料。控制模块耦接至第一及第二剩余增益监测模块,以接收第一及第二剩余增益资料,并据此调整第一及第二增益介质的参数。

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