[发明专利]一种可控硅检测装置以及检测方法

权利要求书

1.一种可控硅工作状态检测装置，其特征在于，包括：驱动电路、端电压检测电路以及处理器，其中，

所述驱动电路与所述处理器连接，所述端电压检测电路与所述处理器连接；

所述驱动电路用于在所述处理器的控制下产生触发信号，控制双向可控硅的导通；

所述端电压检测电路用于检测所述双向可控硅第一阳极与第二阳极两端的端电压，并根据所述端电压输出电平信号；

所述处理器用于根据所述电平信号以及所述驱动电路是否产生所述触发信号，识别所述双向可控硅的工作状态，其中，所述工作状态包括短路状态、二极管模式以及开路状态；

所述根据所述电平信号以及所述驱动电路是否产生所述触发信号，识别所述双向可控硅的工作状态，具体包括：

在所述驱动电路没有产生触发信号，且所述电平信号为高电平信号的情况下，识别所述双向可控硅处于短路状态；或者，

在所述驱动电路没有产生触发信号，且所述电平信号为方波信号的情况下，识别所述双向可控硅处于二极管模式；或者，

在所述驱动电路产生触发信号，且所述电平信号为低电平信号的情况下，识别所述双向可控硅处于开路状态。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：电阻电压检测电路，所述电阻电压检测电路与所述处理器连接，用于检测所述双向可控硅所在串联支路中分流电阻两端的电阻电压，以使所述处理器根据所述电阻电压判断所述串联支路中支路电流是否具有过零点，并根据所述电平信号、所述驱动电路是否产生所述触发信号以及所述支路电流识别所述双向可控硅的工作状态。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：门极电压检测电路，所述门极电压检测电路与所述处理器连接，用于检测所述双向可控硅门极与第一阳极之间的门极电压，以使所述处理器根据所述门极电压判断所述双向可控硅所在串联支路中的支路电流是否具有过零点，并根据所述电平信号、所述驱动电路是否产生所述触发信号以及所述支路电流识别所述双向可控硅的工作状态。

4.根据权利要求2或3所述的装置，其特征在于，所述根据所述电平信号、所述驱动电路是否产生所述触发信号以及所述支路电流识别所述双向可控硅的工作状态，具体包括：

在所述驱动电路没有产生触发信号、所述电平信号为高电平信号且所述支路电流有过零点的情况下，识别所述双向可控硅处于短路状态；或者，

在所述驱动电路没有产生触发信号、所述电平信号为方波信号且所述支路电流没有过零点的情况下，识别所述双向可控硅处于二极管模式；或者，

在所述驱动电路产生触发信号、所述电平信号为低电平信号且所述支路电流没有过零点的情况下，识别所述双向可控硅处于开路状态。

5.一种可控硅工作状态检测方法，其特征在于，包括：

获取触发信号的触发状态，其中，所述触发信号用于触发电路中的双向可控硅导通；

检测双向可控硅第一阳极和第二阳极两端的端电压，并根据所述端电压产生电平信号；

根据所述触发信号的触发状态以及所述电平信号，识别所述双向可控硅的工作状态，其中，所述工作状态包括短路状态、二极管模式以及开路状态；

所述根据所述触发信号的触发状态以及所述电平信号，识别所述双向可控硅的工作状态，具体包括：

在没有产生触发信号，且所述电平信号为高电平信号的情况下，识别所述双向可控硅处于短路状态；或者，

在没有产生触发信号，且所述电平信号为方波信号的情况下，识别所述双向可控硅处于二极管模式；或者，

在产生触发信号，且所述电平信号为低电平信号的情况下，识别所述双向可控硅处于开路状态。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：检测所述双向可控硅所在串联支路中分流电阻两端的电阻电压，根据所述电阻电压判断所述串联支路中支路电流是否具有过零点，并根据所述触发信号的触发状态、所述电平信号以及所述支路电流识别所述双向可控硅的工作状态。