[发明专利]基于光伏组件的退化现象处理方法以及相关设备有效
| 申请号: | 201810397532.1 | 申请日: | 2018-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN108649099B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
| 发明(设计)人: | 罗涛;景遐明;黄伯宁 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 组件 退化 现象 处理 方法 以及 相关 设备 | ||
本发明实施例公开了基于光伏组件的退化现象处理方法以及相关设备,其中所述方法包括:在所述光伏组件出现退化现象的情况下,向所述光伏组件施加高频信号,以保护所述光伏组件,抑制或清除所述退化现象;其中,所述退化现象为在电势的影响下所述光伏组件的发电效率出现退化的现象。采用本发明实施例,能够解决现有技术中当光伏组件出现表面极化现象和/或PID现象时,会导致光伏组件的电能转换能力降低、发电效率降低等问题。
技术领域
本发明涉及半导体光电子技术领域,尤其涉及基于光伏组件的退化现象处理方法以及相关设备。
背景技术
PID(potential induced degradation)是电势诱发衰减。光伏组件长期在负偏压作用下使得玻璃、封装材料之间出现金属离子(正电荷)迁移,而造成光伏组件的性能衰减,这种现象也称为PID现象。例如,玻璃中的大量金属离子(钠离子)迁移到光伏组件的PN结中,会导致PN结导通,此时光伏组件丧失了电能转换能力,严重影响光伏组件的发电效率。
相应地,光伏组件长期在正偏压作用下使得玻璃、封装材料之间存在漏电流,大量负电荷聚集在光伏组件的表面中(具体聚集在表面的氮化硅层),吸引空穴在表面上与负电荷(电子)复合,产生光伏组件的表面极化现象。
为方便本申请描述,采用退化现象作为PID现象和表面极化现象的统称。在实践中发现,当光伏组件出现上述退化现象(具体可为PID现象和/或表面极化现象)时,会严重影响光伏组件的发电效率,退化光伏组件的电能转换能力。
发明内容
本发明实施例公开了退化现象处理方法以及相关设备,能够解决现有技术中当光伏组件出现退化现象(具体为表面极化现象和/或PID现象)时,会出现光伏组件的电能转换能力降低、发电效率降低等问题。
第一方面,本发明实施例公开提供了一种基于光伏组件的退化现象处理方法,所述方法包括:
在所述光伏组件出现退化现象的情况下,向所述光伏组件施加高频信号,使得所述光伏组件中累积的电荷能被释放,以保护所述光伏组件,抑制或清除所述退化现象;其中,所述退化现象为在电势的影响下导致所述光伏组件中存在有电荷的累积,所述光伏组件的发电效率出现退化的现象。
在一些可能的实施例中,所述退化现象包括表面极化现象和电势诱导衰减PID现象。其中,所述表面极化现象为所述光伏组件在正偏压的作用下导致大量负电荷累积在所述光伏组件的表面上的现象,所述PID现象为所述光伏组件在负偏压的作用下出现玻璃中的金属离子发生迁移的现象。
在一些可能的实施例中,在所述退化现象为所述表面极化现象的情况下,向所述光伏组件施加高频信号,使得所述光伏组件的表面上累积的负电荷被激发到所述光伏组件中,以抑制所述光伏组件出现表面极化现象;在所述退化现象为所述PID现象的情况下,向所述光伏组件施加高频信号,使得所述光伏组件的玻璃中的金属离子维持在所述玻璃中,以抑制所述光伏组件出现PID现象。
在一些可能的实施例中,所述向所述光伏组件施加高频信号包括以下中的至少一项:
在所述光伏组件的正电极和负电极之间施加高频信号;
在所述光伏组件包括有边框的情况下,在所述光伏组件的正电极和所述光伏组件的边框之间施加高频信号;
在所述光伏组件包括有边框的情况下,在所述光伏组件的负电极和所述光伏组件的边框之间施加高频信号;
在所述光伏组件包括有边框,且所述光伏组件的正电极和负电极短接的情况下,在所述光伏组件的负电极和所述光伏组件的边框之间施加高频信号。
在一些可能的实施例中,所述高频信号为频率超过第一阈值的信号,所述高频信号包括以下中的至少一项:交流信号、直流信号、电波信号、电磁波信号、光波信号以及声波信号。可选的,所述高频信号具体可为交流信号,或者交流信号和直流信号的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





