[发明专利]基于光伏组件的退化现象处理方法以及相关设备有效
| 申请号: | 201810397532.1 | 申请日: | 2018-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN108649099B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
| 发明(设计)人: | 罗涛;景遐明;黄伯宁 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 组件 退化 现象 处理 方法 以及 相关 设备 | ||
1.一种基于光伏组件的退化现象处理方法,其特征在于,所述方法包括:
在所述光伏组件出现退化现象的情况下,向所述光伏组件施加高频信号,使得所述光伏组件中累积的电荷能被释放,以保护所述光伏组件,抑制或清除所述退化现象;其中,所述退化现象为在电势的影响下导致所述光伏组件中存在有电荷的累积,所述光伏组件的发电效率出现退化的现象,所述高频信号对应的频率在0.1MHz-100THz之间。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述退化现象包括表面极化现象和电势诱导衰减PID现象,所述表面极化现象为所述光伏组件在正偏压的作用下导致大量负电荷累积在所述光伏组件的表面上的现象,所述PID现象为所述光伏组件在负偏压的作用下出现玻璃中的金属离子发生迁移的现象;
在所述退化现象为所述表面极化现象的情况下,向所述光伏组件施加高频信号,使得所述光伏组件的表面上累积的负电荷被激发到所述光伏组件中,以抑制所述光伏组件出现表面极化现象;
在所述退化现象为所述PID现象的情况下,向所述光伏组件施加高频信号,使得所述光伏组件的玻璃中的金属离子维持在所述玻璃中,以抑制所述光伏组件出现PID现象。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述向所述光伏组件施加高频信号包括以下中的至少一项:
在所述光伏组件的正电极和负电极之间施加高频信号;
在所述光伏组件包括有边框的情况下,在所述光伏组件的正电极和所述光伏组件的边框之间施加高频信号;
在所述光伏组件包括有边框的情况下,在所述光伏组件的负电极和所述光伏组件的边框之间施加高频信号;
在所述光伏组件包括有边框,且所述光伏组件的正电极和负电极短接的情况下,在所述光伏组件的负电极和所述光伏组件的边框之间施加高频信号。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述高频信号为交流信号,或者,交流信号和直流信号的组合。
5.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述高频信号在所述光伏组件中产生m个能级,使得所述光伏组件被照射的情况下电子和空穴能在所述m个能级中跃迁,减少电子和空穴再复合的机率,提高所述光伏组件的发电效率,m为正整数。
6.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述高频信号对应的幅值在0.1V-1kV之间。
7.一种基于光伏组件的退化现象处理装置,其特征在于,包括光伏组件以及信号发生器,其中,
所述信号发生器,用于产生高频信号;
所述信号发生器,还用于在所述光伏组件出现退化现象的情况下,向所述光伏组件施加所述高频信号,使得所述光伏组件中累积的电荷能被释放,以保护所述光伏组件,抑制或清除所述退化现象;其中,所述退化现象为在电势的影响下导致所述光伏组件中存在有电荷的累积,所述光伏组件的发电效率出现退化的现象,所述高频信号对应的频率在0.1MHz-100THz之间。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括控制器;
所述控制器,用于根据获取的第一信号,调整所述信号发生器产生的高频信号,使得向所述光伏组件施加所述高频信号后,能抑制或清除所述退化现象;其中,所述第一信号为所述光伏组件的正电极和负电极之间的开路信号、短路信号或者输出功率信号。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述高频信号为在所述第一信号为目标信号的情况下所获得的,所述目标信号为以下中的任一项:最大开路信号、最大短路信号以及最大输出功率信号;
其中,所述最大开路信号为在所述光伏组件的正电极和负电极处于开路的情况下,所述光伏组件的正电极和负电极之间的最大电压信号或最大电流信号;所述最大短路信号为在所述光伏组件的正电极和负电极处于短路的情况下,所述光伏组件的正电极和负电极之间的最大电流信号;所述最大输出功率信号为在所述光伏组件的正电极和负电极之间的输出功率最大的情况下,所述光伏组件的正电极和负电极之间的电压信号或电流信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





