[发明专利]TFT阵列基板有效
| 申请号: | 201810394065.7 | 申请日: | 2018-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN108550580B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
| 发明(设计)人: | 廖作敏;李彦阳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/552 |
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠骁 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 开口 底部边缘 第二导电层 第一导电层 断裂 导电层 竖直 投影 导电层因 静电击穿 断开 阻隔 保证 | ||
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括第一导电层(100)、设于第一导电层(100)上的第一绝缘层(200)、设于第一绝缘层(200)上的第二导电层(300)、设于第二导电层(300)及第一绝缘层(200)上的第二绝缘层(400)以及设于第二绝缘层(400)上的第三导电层(500);
所述第二绝缘层(400)上设有位于第二导电层(300)上方的第一过孔(410)及位于第一导电层(100)上方的第二过孔(420),所述第一绝缘层(200)上设有位于第一导电层(100)上方的第三过孔(210),第二过孔(420)位于第三过孔(210)内;第三导电层(500)经第一过孔(410)及第二过孔(420)分别与第二导电层(300)及第一导电层(100)连接;
所述第三导电层(500)上设有间隔的第一开口(510)与第二开口(520),所述第一开口(510)在竖直方向的投影位于第二过孔(420)底部边缘的一侧且一端突出第二过孔(420)底部边缘靠近第一过孔(410)的一端;所述第二开口(520)在竖直方向的投影位于第一过孔(410)底部边缘的一侧且一端突出第一过孔(410)底部边缘靠近第二过孔(420)的一端;所述第一开口(510)及第二开口(520)在竖直方向的投影分别位于由第一过孔(410)及第二过孔(420)组成的过孔列的两侧。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一开口(510)在竖直方向的投影突出第二过孔(420)底部边缘靠近第一过孔(410)一端的部分与所述第二开口(520)在竖直方向的投影突出第一过孔(410)底部边缘靠近第二过孔(420)一端的部分在第一过孔(410)和第二过孔(420)排列方向上的长度之和大于等于第一过孔(410)底部边缘与第二过孔(420)底部边缘投影在同一水平面上时两者之间的距离;
所述第一开口(510)及第二开口(520)均为长条状;所述第一开口(510)的延伸方向与第二开口(520)的延伸方向平行。
3.如权利要求2所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第二绝缘层(400)上还设有位于第二导电层(300)上方的第四过孔(440)及位于第一导电层(100)上方的第五过孔(450),所述第一绝缘层(200)上设有位于第一导电层(100)上方的第六过孔(220),第五过孔(450)位于第六过孔(220)内,所述第三导电层(500)经第四过孔(440)与第五过孔(450)分别与第二导电层(300)及第一导电层(100)连接;所述第四过孔(440)、第一过孔(410)、第二过孔(420)及第五过孔(450)依次设置排成一列。
4.如权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一开口(510)在竖直方向的投影的另一端突出第二过孔(420)底部边缘靠近第五过孔(450)的一端;所述第二开口(520)在竖直方向的投影的另一端突出第一过孔(410)底部边缘靠近第四过孔(440)的一端;
所述第三导电层(500)还设有间隔的第三开口(530)及第四开口(540);所述第三开口(530)在竖直方向的投影位于第四过孔(440)底部边缘的一侧,且一端突出第四过孔(440)底部边缘靠近第一过孔(410)的一端,另一端突出第四过孔(440)底部边缘远离第一过孔(410)的一端;所述第四开口(540)在竖直方向的投影位于第五过孔(450)底部边缘的一侧,且一端突出第五过孔(450)底部边缘靠近第二过孔(420)的一端,另一端突出第五过孔(450)底部边缘远离第二过孔(420)的一端;
所述第三开口(530)和第一开口(510)的排列方向与第一过孔(410)和第二过孔(420)的排列方向平行;所述第二开口(520)和第四开口(540)的排列方向与第一过孔(410)和第二过孔(420)的排列方向平行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





