[发明专利]一种黄光LED封装结构及封装方法在审
| 申请号: | 201810390375.1 | 申请日: | 2018-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN108548105A | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
| 发明(设计)人: | 刘虎;王立;章少华;何沅丹;孙沁瑶;姚勇 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
| 主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V9/40;H01L33/48 |
| 代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
| 地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蓝光LED芯片 聚合物基座 封装结构 黄光LED 黄光 隔热硅胶 量子点层 保护层 钙钛矿 底座 封装 固化 底座四周 钙钛矿型 高稳定性 聚硅氧烷 电极线 封装层 量子点 上表面 宽窄 围挡 沉积 | ||
本发明公开了一种黄光LED封装结构及封装方法,其中,该黄光LED封装结构中包括:蓝光LED芯片;用于固定所述蓝光LED芯片的聚合物基座,所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡,所述蓝光LED芯片固定在所述底座上;连接于所述蓝光LED芯片和聚合物基座的电极线;固化在所述蓝光LED芯片四周及上表面的隔热硅胶层;固化在所述隔热硅胶层表面的黄光钙钛矿量子点层;沉积在所述黄光钙钛矿量子点层表面的保护层;设置在所述保护层表面的聚硅氧烷封装层,得到高稳定性的半峰宽窄黄光钙钛矿型量子点LED。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种黄光LED封装结构及封装方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)具有较高的可集成性,能被集成于各种标准化的模块中,实现智能化的控制,有助于节能环保、增强视觉效果、改善光线舒适度,广泛用于户内装饰照明、交通灯、汽车灯,显示等,
传统的黄光LED多采用波长为580-595nm(纳米)波段的芯片上直接封装,但是黄光芯片普遍发光效率偏低,成本高。当然,也有其他封装黄光LED芯片的方法,如中国专利CN201210004373.7公开的一种黄光LED光源组件,其将黄色荧光粉和橙色荧光粉涂覆在LED芯片上实现黄色发光,涂覆层黄色粉为铝酸钇和橙色粉为碱土硅酸盐的混合物,但是其在使用过程中在不同电流驱动下,会发生明显的色坐标偏移,影响其在显示领域中的运用。
发明内容
本发明的目的是提供一种黄光LED封装结构及封装方法,有效解决现有黄光LED发光效率不高的技术问题。
本发明提供的技术方案如下:
一种黄光LED封装结构,包括:
蓝光LED芯片;
用于固定所述蓝光LED芯片的聚合物基座,所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡,所述蓝光LED芯片固定在所述底座上;
连接于所述蓝光LED芯片和聚合物基座的电极线;
固化在所述蓝光LED芯片四周及上表面的隔热硅胶层;
固化在所述隔热硅胶层表面的黄光钙钛矿量子点层;
沉积在所述黄光钙钛矿量子点层表面的保护层;
设置在所述保护层表面的聚硅氧烷封装层。
进一步优选地,隔热硅胶层由双组分的灌注封装胶按质量比1:1搅拌混合而成。
进一步优选地,所述黄光钙钛矿量子点层由硬脂酸铯、油酸、油胺、PbI2(碘化铅)以及PbBr2(溴化铅)为原材料采用热注射法合成。
进一步优选地,所述保护层为氧化铝薄膜。
本发明还提供了一种黄光LED封装方法,包括:
S1 将蓝光LED芯片固定在聚合物基座上,其中,所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡,所述蓝光LED芯片固定在所述底座上;
S2 将蓝光LED芯片的电极线与聚合物基座连接;
S3 在蓝光LED芯片表面注入硅胶并固化形成隔热硅胶层;
S4 在隔热硅胶层表面注入并固化合成的量子点形成黄光钙钛矿量子点层;
S5 在所述黄光钙钛矿量子点层表面形成保护层;
S6 在所述保护层表面形成聚硅氧烷封装层。
进一步优选地,在步骤S3中包括:
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