[发明专利]一种黄光LED封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种黄光LED封装结构，其特征在于，所述黄光LED封装结构中包括：

蓝光LED芯片；

用于固定所述蓝光LED芯片的聚合物基座，所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡，所述蓝光LED芯片固定在所述底座上；

连接于所述蓝光LED芯片和聚合物基座的电极线；

固化在所述蓝光LED芯片四周及上表面的隔热硅胶层；

固化在所述隔热硅胶层表面的黄光钙钛矿量子点层；

沉积在所述黄光钙钛矿量子点层表面的保护层；

设置在所述保护层表面的聚硅氧烷封装层。

2.如权利要求1所述的黄光LED封装结构，其特征在于，隔热硅胶层由双组分的灌注封装胶按质量比1:1搅拌混合而成。

3.如权利要求1所述的黄光LED封装结构，其特征在于，所述黄光钙钛矿量子点层由硬脂酸铯、油酸、油胺、PbI₂以及PbBr₂为原材料采用热注射法合成。

4.如权利要求1所述的黄光LED封装结构，其特征在于，所述保护层为氧化铝薄膜。

5.一种黄光LED封装方法，其特征在于，所述黄光LED封装方法中包括：

S1 将蓝光LED芯片固定在聚合物基座上，其中，所述聚合物基座中包括一底座及设置在所述底座四周的围挡，所述蓝光LED芯片固定在所述底座上；

S2 将蓝光LED芯片的电极线与聚合物基座连接；

S3 在蓝光LED芯片表面注入硅胶并固化形成隔热硅胶层；

S4 在隔热硅胶层表面注入并固化合成的量子点形成黄光钙钛矿量子点层；

S5 在所述黄光钙钛矿量子点层表面形成保护层；

S6 在所述保护层表面形成聚硅氧烷封装层。

6.如权利要求5所述的黄光LED封装方法，其特征在于，在步骤S3中包括：

S31 将双组分的灌注封装胶按质量比1:1搅拌混合均匀并脱泡；

S32 将混合后的硅胶均匀注入固定了蓝光LED芯片的聚合物基座内直至淹没芯片0.8~1.2mm；

S33 在真空干燥箱内60~80℃的条件下恒温固化0.5~2h；

S34在真空干燥箱内120~180℃的条件下恒温固化1~3h形成隔热硅胶层。

7.如权利要求5所述的黄光LED封装方法，其特征在于，在步骤S4中包括：

S41采用硬脂酸铯、油酸、油胺、PbI₂以及PbBr₂为原材料使用热注射法合成黄光钙钛矿量子点CsPb(Br_xI_1-x)₃，其中，x=0.50~0.60；

S42 将合成的黄光钙钛矿量子点经7000~10000rpm转速离心后，采用环己烷为溶剂，固液比为1:1~2，经超声分散5~10s后注入到固化后的隔热硅胶层表面；

S43 在真空干燥箱内25~40℃的条件下静置1~3小时形成黄光钙钛矿量子点层。

8.如权利要求5所述的黄光LED封装方法，其特征在于，在步骤S5中，所述保护层为氧化铝薄膜。

9.如权利要求8所述的黄光LED封装方法，其特征在于，在步骤S5中，采用三甲基铝和氧气为原料，设备功率为W，在低温30~50℃的条件下以脉冲的形式交替地通入反应腔，经过30~100个周期后形成2~3nm厚度的致密的氧化铝薄膜。