[发明专利]静电吸附夹盘及其制造方法、以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种静电吸附夹盘的制造方法，该静电吸附夹盘为借由静电力而保持半导体晶圆，该制造方法包括：

将在内部设置有至少一对电极的合成树脂片接合在基板的步骤；

使所述基板旋转，将接合在所述基板的所述合成树脂片的表面以旋转的磨石研削而形成被平坦化的研削面的步骤；其中

在形成所述研削面的步骤中，在被研削加工的所述合成树脂片的表面，从所述磨石的外侧供给研削液，并且，以喷射角度5至20度及喷出压力3至20MPa将洗净液喷附至所述磨石的未供研削加工用的部分的刀尖。

2.根据权利要求1所述的静电吸附夹盘的制造方法，其中，在形成所述研削面的步骤之后，执行下列步骤：形成从所述基板的背面达到所述电极的多个孔，对所述孔埋设金属并形成供电用电极。

3.根据权利要求1或2所述的静电吸附夹盘的制造方法，其中，所述磨石为细微性♯500至8000的钻石磨石，

所述研削面为平坦化成TTV为1μm以下、评价区域25mm×25mm的LTV为0.1μm以下。

4.一种半导体装置的制造方法，其使用以权利要求1至3中任一项所述的静电吸附夹盘的制造方法所制造的静电吸附夹盘，且具备：

使半导体晶圆的装置面抵接于所述静电吸附夹盘的经平坦化的所述研削面并对所述电极施加电压，且利用静电力来保持所述半导体晶圆的步骤；以及

将保持在所述静电吸附夹盘的所述半导体晶圆的背面予以研削的步骤。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，具备下列步骤：在执行将所述半导体晶圆的背面予以研削的步骤之后，将保持在所述静电吸附夹盘的所述半导体晶圆与所述静电吸附夹盘一同反转，将所述半导体晶圆的背面接合在其他半导体晶圆的装置面。