[发明专利]一种下半桥及制动IGBT驱动电路在审

专利信息
申请号: 201810385152.6 申请日: 2018-04-26
公开(公告)号: CN108768143A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 施小东;包建;郑慧聪 申请(专利权)人: 浙江大维高新技术股份有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M1/32
代理公司: 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 童健
地址: 321031 浙江省金华*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 制动 驱动电路 驱动芯片 输入端连接 高效节能 规格产品 数据存储 外围电路 远程监控 兼容性 云端 手机 调试
【权利要求书】:

1.一种下半桥及制动IGBT驱动电路,其特征在于,包括下半桥驱动电路以及制动IGBT驱动电路,所述下半桥驱动电路以及制动IGBT驱动电路同时与一个型号为acpl-332j的驱动芯片连接,驱动芯片输入端连接一个输入外围电路。

2.根据权利要求1所述的一种下半桥及制动IGBT驱动电路,其特征在于,所述制动IGBT驱动电路包括跨接在驱动芯片14角和16角的依次并联的稳压二极管ZD22和电容C17,依次串联的电容C16和电容C20跨接在驱动芯片11角和16角,依次串联的稳压二极管ZD26和稳压二极管ZD1跨接驱动芯片9角和16角;电阻R16一端接电容C16和电容C20的连接节点后与驱动芯片13角连接,另一端与驱动芯片16角连接;电阻R11一端接电容C16和电容C20的连接节点后,另一端与驱动芯片16角连接。

3.根据权利要求1所述的一种下半桥及制动IGBT驱动电路,其特征在于,下半桥驱动电路包括两个型号为pbss304nx的NPN晶体管,分别是晶体管QB2和晶体管QB4,所述晶体管QB2和晶体管QB4的基极对接后连接一个电阻RB3后接驱动芯片11角,晶体管QB2的发射极接电阻RA2后与驱动芯片11角连接;电阻RA2上并联一个二极管DA2;晶体管QB2的集电极接24VN,晶体管QB2的发射极还接有电阻RAB2和电阻RB4后与晶体管QB4的集电极连接;电阻RAB2和电阻RB4的连接节点为输出,输出高低电平端跨接依次并联的电容C25、电阻R30、以及反向串联的稳压二极管ZD2和稳压二极管ZD4。

4.根据权利要求3所述的一种下半桥及制动IGBT驱动电路,其特征在于,所述输入外围电路包括跨接在驱动芯片5角和7角的依次并联的电容C23和电阻R31,驱动芯片6角和7角连接,驱动芯片5角和8角连接,并且驱动芯片7角和8角之间连接一二极管,输入负极还接有一电阻R33后与驱动芯片5角连接,输入正极接驱动芯片7角,输入负极还接有电容C119后接地,输入正极还接有电容C82后接地。

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