[发明专利]一种下半桥及制动IGBT驱动电路在审
申请号: | 201810385152.6 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN108768143A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 施小东;包建;郑慧聪 | 申请(专利权)人: | 浙江大维高新技术股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M1/32 |
代理公司: | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 童健 |
地址: | 321031 浙江省金华*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制动 驱动电路 驱动芯片 输入端连接 高效节能 规格产品 数据存储 外围电路 远程监控 兼容性 云端 手机 调试 | ||
1.一种下半桥及制动IGBT驱动电路,其特征在于,包括下半桥驱动电路以及制动IGBT驱动电路,所述下半桥驱动电路以及制动IGBT驱动电路同时与一个型号为acpl-332j的驱动芯片连接,驱动芯片输入端连接一个输入外围电路。
2.根据权利要求1所述的一种下半桥及制动IGBT驱动电路,其特征在于,所述制动IGBT驱动电路包括跨接在驱动芯片14角和16角的依次并联的稳压二极管ZD22和电容C17,依次串联的电容C16和电容C20跨接在驱动芯片11角和16角,依次串联的稳压二极管ZD26和稳压二极管ZD1跨接驱动芯片9角和16角;电阻R16一端接电容C16和电容C20的连接节点后与驱动芯片13角连接,另一端与驱动芯片16角连接;电阻R11一端接电容C16和电容C20的连接节点后,另一端与驱动芯片16角连接。
3.根据权利要求1所述的一种下半桥及制动IGBT驱动电路,其特征在于,下半桥驱动电路包括两个型号为pbss304nx的NPN晶体管,分别是晶体管QB2和晶体管QB4,所述晶体管QB2和晶体管QB4的基极对接后连接一个电阻RB3后接驱动芯片11角,晶体管QB2的发射极接电阻RA2后与驱动芯片11角连接;电阻RA2上并联一个二极管DA2;晶体管QB2的集电极接24VN,晶体管QB2的发射极还接有电阻RAB2和电阻RB4后与晶体管QB4的集电极连接;电阻RAB2和电阻RB4的连接节点为输出,输出高低电平端跨接依次并联的电容C25、电阻R30、以及反向串联的稳压二极管ZD2和稳压二极管ZD4。
4.根据权利要求3所述的一种下半桥及制动IGBT驱动电路,其特征在于,所述输入外围电路包括跨接在驱动芯片5角和7角的依次并联的电容C23和电阻R31,驱动芯片6角和7角连接,驱动芯片5角和8角连接,并且驱动芯片7角和8角之间连接一二极管,输入负极还接有一电阻R33后与驱动芯片5角连接,输入正极接驱动芯片7角,输入负极还接有电容C119后接地,输入正极还接有电容C82后接地。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置