[发明专利]包括电阻器结构的半导体器件

说明书

提供了一种包括电阻器结构的半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；电阻器结构，其包括在衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和在电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透第二绝缘层和电阻器层。电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。该半导体器件具有低的接触电阻和窄的接触电阻变化。

技术领域

本发明构思总体上涉及半导体器件，更具体地，涉及包括电阻器结构的半导体器件。

背景技术

半导体器件中包括的电阻器件的电阻器层可以通过接触连接到金属互连。因此，电阻器件的总电阻是电阻器层本身的电阻和接触的电阻之和。为了半导体器件尺寸的减小，电阻器层通常需要被减薄。随着电阻器层变得更薄，电阻器层与接触之间的接触面积减小。结果，接触电阻增大并且接触电阻的变化也增大。因此，需要减小电阻器件的接触电阻和电阻器件的接触电阻的变化。

发明内容

本发明构思的一些实施方式包括具有电阻器结构的半导体器件，该电阻器结构包括低的接触电阻和窄的接触电阻变化。

在另外的实施方式中，一种半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；电阻器结构，其包括在衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和在电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透第二绝缘层和电阻器层。电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。

在本发明构思的另外的实施方式中，一种半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面并且具有晶体管区域和电阻器区域；下部结构，其在电阻器区域和晶体管区域上；电阻器结构，其位于下部结构在电阻器区域上的部分上，并且包括第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和位于电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透第二绝缘层和电阻器层。电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。

在本发明构思的一些实施方式中，一种半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面并且具有晶体管区域和电阻器区域；下部结构，其在晶体管区域和电阻器区域上，并且包括多个栅极结构、填充所述多个栅极结构之间的空间的下层间绝缘层、在晶体管区域上在栅极结构下面的有源区域以及接触有源区域的源极/漏极区域；电阻器结构，其位于下部结构在电阻器区域上的部分上，并且包括第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和在电阻器层上的第二绝缘层；上层间绝缘层，其覆盖电阻器结构和下部结构；电阻器接触，其穿透上层间绝缘层、第二绝缘层和电阻器层；以及源极/漏极接触，其穿过上层间绝缘层和下层间绝缘层接触源极/漏极区域，其中电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。

附图说明

本发明构思的实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解，附图中：

图1、图2和图3A分别是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的透视图、剖视图和俯视图。

图3B和图3C是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的俯视图。

图4A、图4B和图4C是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件中包括的电阻器接触的放大剖视图。

图5A、图5B、图5C和图5D是示出根据本发明构思的一些实施方式的图2中的区域A的各种修改的放大图。

图6A是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件的俯视图。

图6B是根据本发明构思的一些实施方式的沿图6A中所示的线BB'和线CC'截取的剖视图。

图6C是根据本发明构思的一些实施方式的沿图6A中所示的线DD'和线EE'截取的剖视图。

图7是根据本发明构思的一些实施方式的半导体器件中包括的电阻器接触和源极/漏极接触的放大剖视图。