[发明专利]包括电阻器结构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；

电阻器结构，其包括在所述衬底上的第一绝缘层、在所述第一绝缘层上的电阻器层和在所述电阻器层上的第二绝缘层；以及

电阻器接触，其穿透所述第二绝缘层和所述电阻器层，

其中所述电阻器接触的侧壁相对于所述第一方向的倾斜角根据离所述衬底的高度而变化。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻器接触的所述侧壁相对于所述第一方向的所述倾斜角在离所述衬底的第一高度和大于所述第一高度的第二高度处改变。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一高度小于所述电阻器层的上表面离所述衬底的高度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二高度大于所述电阻器层的下表面离所述衬底的高度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述电阻器接触包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域具有相对于所述第一方向拥有第一倾斜角的侧壁，所述第二区域位于所述第一区域上并且具有相对于所述第一方向拥有第二倾斜角的侧壁，所述第三区域位于所述第二区域上并且具有相对于所述第一方向拥有第三倾斜角的侧壁；以及

其中所述第一倾斜角小于所述第二倾斜角，并且所述第二倾斜角大于所述第三倾斜角。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中所述第一区域在所述第一方向上的长度小于所述第三区域在所述第一方向上的长度；以及

其中所述第二区域在所述第一方向上的长度小于所述第三区域在所述第一方向上的所述长度。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中所述第一区域接触所述第一绝缘层；以及

其中所述第二区域接触所述电阻器层；以及

其中所述第三区域接触所述第二绝缘层。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一区域在垂直于所述第一方向的第二方向上的最大宽度小于所述第三区域在所述第二方向上的最大宽度。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一区域在垂直于所述第一方向的第二方向上的最大宽度与所述第一区域在所述第二方向上的最小宽度之间的差值小于所述第二区域在所述第二方向上的最大宽度与所述第二区域在所述第二方向上的最小宽度之间的差值。

10.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二区域在垂直于所述第一方向的第二方向上的最大宽度与所述第二区域在所述第二方向上的最小宽度之间的差值大于所述第三区域在所述第二方向上的最大宽度与所述第三区域在所述第二方向上的最小宽度之间的差值。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述衬底与所述第一绝缘层之间的下部结构，其中所述电阻器接触穿透所述第一绝缘层。

12.一种半导体器件，包括：

衬底，其具有垂直于第一方向的上表面并且具有晶体管区域和电阻器区域；

下部结构，其在所述电阻器区域和所述晶体管区域上；

电阻器结构，其位于所述下部结构在所述电阻器区域上的部分上，并且包括第一绝缘层、在所述第一绝缘层上的电阻器层和在所述电阻器层上的第二绝缘层；以及

电阻器接触，其穿透所述第二绝缘层和所述电阻器层，

其中所述电阻器接触的侧壁相对于所述第一方向的倾斜角根据离所述衬底的高度而变化。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述下部结构在所述电阻器区域上的部分包括栅极结构和接触所述栅极结构的侧壁的下层间绝缘层。