[发明专利]半导体装置

说明书

得到能够改善短路电流检测的精度的半导体装置。晶体管(2)具有主端子(8)和感测端子(9)。N相输出电极(4)通过第1导线(10)、(11)与主端子(8)连接。感测输出电极(6)通过第2导线(12)与感测端子(9)连接。封装件(1)对N相输出电极(4)的一部分、感测输出电极(6)的一部分、晶体管(2)、第1及第2导线(10)、(11)、(12)进行封装。从主端子(8)至N相输出电极(4)为止的配线电感比从感测端子(9)至感测输出电极(6)为止的配线电感大。

技术领域

本发明涉及具备晶体管的半导体装置，该晶体管具有主端子和感测端子。

背景技术

为了传递塑模型逆变器模块等IPM的短路保护，使用了发射极电流检测方式。在该方式中，将外部分流电阻与N侧IGBT的发射极部连接，在产生了短路电流的情况下对分流电阻间电压进行检测，反馈至控制IC，进行电路切断。

另外，在对IPM的大容量品种使用发射极电流检测方式的情况下，需要将外部分流电阻的容许电力增大。因此，使用电流感测电流检测方式，即，使用片上电流感测内置IGBT对从主电流分流出的微小电流进行检测而对短路电流进行检测。

此外，提出如下方案(例如，参照专利文献1)，即，为了降低彼此并联连接的多个开关元件间的电流不平衡，对Al导线根数进行调整以使得各元件的电感相同。

专利文献1：日本特开2013-106384号公报

在电流感测电流检测方式中，将短路电流检测用电阻连接于感测端子。因此，主部的发射极的电感变得比感测部小。因此，IGBT的主部和感测部产生IGBT栅极电压差，流过各个IGBT的电流比有偏差。因此，存在短路电流检测的精度变低的问题。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到能够改善短路电流检测的精度的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置的特征在于，具备：晶体管，其具有主端子和感测端子；主输出电极，其通过第1导线与所述主端子连接；感测输出电极，其通过第2导线与所述感测端子连接；以及封装件，其对所述主输出电极的一部分、所述感测输出电极的一部分、所述晶体管、所述第1及第2导线进行封装，从所述主端子至所述主输出电极为止的配线电感比从所述感测端子至所述感测输出电极为止的配线电感大。

发明的效果

在本发明中，从晶体管的主端子至主输出电极为止的配线电感比从感测端子至感测输出电极为止的配线电感大。由此，在将短路电流检测用电阻与感测端子连接的电流感测电流检测方式中，由于晶体管的主部和感测部的栅极电压差变小，因此两者的电流比变小。其结果，能够改善短路电流检测的精度。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的半导体装置的图。

图2是表示本发明的实施方式1涉及的半导体装置的封装件内部的图。

图3是表示本发明的实施方式2涉及的半导体装置的封装件内部的图。

图4是表示本发明的实施方式3涉及的半导体装置的封装件内部的图。

图5是表示本发明的实施方式4涉及的半导体装置的封装件内部的图。

图6是表示本发明的实施方式5涉及的半导体装置的图。

标号的说明

1封装件，2 IGBT(晶体管)，3控制IC，4 N相输出电极，6感测输出电极，7中继电极，8发射极端子(主端子)，9感测端子，10、11、12、13 Al导线，14 SiCMOS晶体管(晶体管)，R电阻

具体实施方式