[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

晶体管，其具有主端子和感测端子；

主输出电极，其通过第1导线与所述主端子连接；

感测输出电极，其通过第2导线与所述感测端子连接；以及

封装件，其对所述主输出电极的一部分、所述感测输出电极的一部分、所述晶体管、所述第1及第2导线进行封装，

从所述主端子至所述主输出电极为止的配线电感比从所述感测端子至所述感测输出电极为止的配线电感大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备：

控制IC，其设置于所述封装件的内部，对所述晶体管进行控制；以及

电阻，其设置于所述封装件的外部，与所述感测输出电极连接，

所述控制IC在根据施加于所述电阻的电压而检测出短路电流的情况下，进行所述晶体管的电路切断。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1导线的长度比所述第2导线的长度长。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2导线的根数比所述第1导线的根数多。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

还具备中继电极，该中继电极设置于所述封装件的内部，

所述第1导线具有：第3导线，其将所述主端子和所述中继电极连接；以及第4导线，其将所述中继电极和所述主输出电极连接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管、所述主输出电极、所述中继电极、所述第2、第3及第4导线分别被分为多个相，

在各相中，所述第3导线越长，所述第4导线的根数越多。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述感测输出电极被分割为多个框，彼此经由第5导线连接，多个相的所述晶体管的所述感测端子分别与这些框连接。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管为SiCMOS晶体管。