[发明专利]墨水材料的膜厚测量方法

权利要求书

1.一种墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板；其中，填充后一层的墨水材料时在前一层材料的像素坑的基础上留存至少一个像素坑不填充所述后一层的墨水材料；

在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点；

对所述测量基板上的各个测量点进行测量，检测各个测量点测量的厚度参数，根据所述厚度参数计算各个种类墨水材料的膜层厚度。

2.根据权利要求1所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板的步骤之前，包括：

根据待制备器件的结构信息，确定待测量的墨水材料的种类和各个种类墨水材料之间的层次关系；

所述在玻璃基板的像素坑中，逐层填充各个种类的墨水材料，制成测量基板包括：

在玻璃基板的像素坑中，按照所述层次关系逐层填充各个所述种类的墨水材料，制成测量基板。

3.根据权利要求1所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述在玻璃基板的像素坑中逐层填充各个种类的墨水材料时，使得每一层墨水材料裸露的像素坑具有至少一个在横向或纵向至少一个方向与上一层材料不相邻的像素坑；

所述在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点包括：

在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择与上一层材料的像素坑在横向或纵向至少一个方向不相邻的像素坑作为该层墨水材料的测量点。

4.根据权利要求2所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述待制备器件为OLED器件；

所述待测量的墨水材料的种类和各个种类墨水材料之间的层次关系包括：

位于玻璃基板上ITO层上的HIL墨水材料层、位于HIL墨水材料层上的HTL墨水材料层，以及位于HTL墨水材料层上的EML墨水材料层。

5.根据权利要求4所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述在玻璃基板的像素坑中，按照所述层次关系逐层填充各个所述种类的墨水材料，制成测量基板包括：

在玻璃基板上ITO层的像素坑中填充HIL墨水材料层，并留存至少一个ITO层的像素坑不填充所述HIL墨水材料；

在已填充有HIL墨水材料的像素坑中填充HTL墨水材料层，并留存至少一个填充有HIL墨水材料的像素坑不填充所述HTL墨水材料；

在已填充有HTL墨水材料的像素坑中填充EML墨水材料层，并留存至少一个填充有HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML墨水材料。

6.根据权利要求5所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述在每一层填充有墨水材料的像素坑中，分别选择至少一个该层墨水材料裸露的像素坑作为该层墨水材料的测量点包括：

在留存的不填充所述HTL墨水材料的填充有所述HIL墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为HIL墨水材料的测量点；

在留存的不填充所述EML墨水材料的填充有所述HTL墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为HTL墨水材料的测量点；

在填充有所述EML墨水材料的像素坑中选择一个像素坑为EML墨水材料的测量点。

7.根据权利要求6所述的墨水材料的膜厚测量方法，其特征在于，所述EML墨水材料层包括位于同一墨水材料层的EML-R墨水材料、EML-G墨水材料和EML-B墨水材料；

所述在已填充有HTL墨水材料的像素坑中填充EML墨水材料层，并留存至少一个填充有HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML墨水材料层包括：

在已填充有HTL墨水材料的像素坑中分别选择至少一个像素坑填充EML-R墨水材料，至少一个像素坑填充EML-G墨水材料，至少一个像素坑填充EML-B墨水材料，并留存至少一个HTL墨水材料的像素坑不填充所述EML-R、EML-G或EML-B墨水材料。