[发明专利]半导体封装组件有效

专利信息
申请号: 201810365183.5 申请日: 2018-04-19
公开(公告)号: CN109712943B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 孙瑞伯;林圣谋;吴文洲 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/48;H01L23/64
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 贾凤涛
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 组件
【权利要求书】:

1.一种半导体封装组件,其特征在于,包括:

基板,具有晶粒附接表面和与晶粒附接表面相对的焊球附接表面;

半导体晶粒,安装在所述基板的晶粒附接表面上,其中所述半导体晶粒包括:射频电路;以及电连接到所述射频电路的第一晶粒焊盘;

基座,安装在所述基板的焊球附接表面上;以及

第一电感器结构,在所述基板、所述半导体晶粒或所述基座上,其中所述第一电感器结构包括:电连接到所述第一晶粒焊盘的第一端子;以及电连接到接地端子的第二端子;

从所述第一电感器结构的第二端子到所述第一晶粒焊盘的第一导电路径的第一距离小于从该半导体封装组件的天线到所述第一晶粒焊盘的第二导电路径的第二距离。

2.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,从所述第一电感器结构的第一端子至所述第一晶粒焊盘的第三导电路径的第三距离小于所述第二导电路径沿着所述基板布置的区段的长度的1/5。

3.根据权利要求2所述的半导体封装组件,其特征在于,从所述第一电感器结构的第一端子至所述第一晶粒焊盘的第三导电路径的第三距离小于所述第二导电路径沿着所述基板布置的区段的长度的1/10。

4.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一电感器结构的第一端子直接接触所述第一晶粒焊盘。

5.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一电感器结构直接位于所述半导体晶粒上,所述第一电感器结构包括有源电感器结构。

6.根据权利要求5所述的半导体封装组件,其特征在于,所述有源电感器结构包括经典的回转器-C有源电感器结构。

7.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一电感器结构包括无源电感器结构,所述无源电感器结构包括方形螺旋形电感器结构、短柱形电感器结构、曲折线形电感器结构或螺旋形电感器结构。

8.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一电感器结构包括六角形螺旋电感器结构、八角形螺旋电感器结构、圆形螺旋电感器结构、集成无源器件、表面安装器件或接合线。

9.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,

所述基板包括:

第一焊盘,在所述基板的晶粒附接表面上;

导电布线,靠近所述基板的晶粒附接表面且电连接到所述第一焊盘;

通孔结构,穿过所述基板并电连接到所述导电布线的;以及

其中所述基座包括:

第二焊盘,在所述焊球附接表面上,其中第二焊盘电连接到所述通孔结构和所述第一电感器结构的第一端子,

其中直接位于所述基座上的所述第一电感器结构、所述第一焊盘、所述导电布线、所述通孔结构及所述第二焊盘共同形成复合电感器结构。

10.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一电感器结构与所述半导体晶粒、所述基板或所述基座接触。

11.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,所述半导体晶粒包括:

第二晶粒焊盘,其中所述第二晶粒焊盘电连接到所述半导体晶粒的射频电路和基座上的天线,其中所述第一晶粒焊盘将所述第一电感器结构与所述第二晶粒焊盘分离。

12.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,还包括:

晶粒外部件电路,与所述半导体晶粒的射频电路电连接,其中所述晶粒外部件电路包括匹配电路、滤波器和天线。

13.根据权利要求12所述的半导体封装组件,其特征在于,所述匹配电路包括第二电感器结构,其中所述第一电感器结构与所述第二电感器结构为分离的电感器结构。

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