[发明专利]应用于低介电材质覆晶芯片的防脱层研磨方法有效
申请号: | 201810364534.0 | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN108436604B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 潘健成;陈清陇 | 申请(专利权)人: | 苏试宜特(上海)检测技术有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B37/04 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 201100 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 低介电 材质 芯片 防脱层 研磨 方法 | ||
1.一种应用于低介电材质覆晶芯片的防脱层研磨方法,其特征在于,包括步骤:
提供覆晶芯片,所述覆晶芯片包括芯片、基板和凸块,所述基板包括多层子板,所述芯片通过所述凸块连接于所述基板的顶层的所述子板,所述芯片和所述基板之间的缝隙填充有填充底胶;
减薄所述基板;
研磨所述芯片的侧面、经减薄的所述基板的侧面和所述填充底胶,直至裸露出位于外围第一圈的所述凸块,步骤包括:
粗磨经减薄的所述基板的侧面和所述填充底胶,直至所述基板的四周与所述芯片的四周相平齐;
细磨所述芯片的侧面、经粗磨的所述基板的侧面和所述填充底胶,直至裸露出位于外围第一圈的所述凸块;
抛光所述芯片的侧面;
观察外围第一圈的所述凸块处的截面后,进一步研磨至外围第二圈的所述凸块并抛光,进而观察外围第二圈的所述凸块处的截面,根据实际情况选择要观察的截面位置并研磨、抛光。
2.如权利要求1所述的应用于低介电材质覆晶芯片的防脱层研磨方法,其特征在于,所述减薄所述基板为:自所述基板的底层至顶层将所述基板减薄至所述基板的顶层的所述子板的底面。
3.如权利要求1所述的应用于低介电材质覆晶芯片的防脱层研磨方法,其特征在于:使用P800砂纸进行所述减薄。
4.如权利要求1所述的应用于低介电材质覆晶芯片的防脱层研磨方法,其特征在于,使用P1200砂纸进行所述粗磨。
5.如权利要求1所述的应用于低介电材质覆晶芯片的防脱层研磨方法,其特征在于,使用P2400砂纸进行所述细磨。
6.如权利要求1所述的应用于低介电材质覆晶芯片的防脱层研磨方法,其特征在于,还包括:提供芯片固定器具;
并且,在减薄所述基板后,将经减薄的所述覆晶芯片固定于所述芯片固定器具上,进行所述研磨所述芯片的侧面、经减薄的所述基板的侧面和所述填充底胶的步骤。
7.如权利要求6所述的应用于低介电材质覆晶芯片的防脱层研磨方法,其特征在于,所述芯片固定器具包括沾黏器和调平器,所述沾黏器安装于所述调平器;
并且,通过将经减薄的所述覆晶芯片固定于所述沾黏器上,将所述覆晶芯片固定于所述芯片固定器具上;
在进行所述研磨之前,利用调节所述调平器调整固定有所述覆晶芯片的所述沾黏器;
待调整至所述覆晶芯片的设计工位之后,进行所述研磨。
8.如权利要求1所述的应用于低介电材质覆晶芯片的防脱层研磨方法,其特征在于:使用手工方式进行所述研磨和所述抛光。
9.如权利要求1所述的应用于低介电材质覆晶芯片的防脱层研磨方法,其特征在于:使用氧化铝进行所述抛光。
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