[发明专利]功率开关的热观测器以及过载保护有效

专利信息
申请号: 201810361037.5 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN108462146B 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: F.科尔蒂贾尼;A.德奇科 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H02H3/07 分类号: H02H3/07;H02H5/04;H02H6/00;G01K1/02;H03K17/082
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 胡莉莉;陈岚
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 开关 观测器 以及 过载 保护
【权利要求书】:

1.一种半导体电路装置,包括:

具有至少一个有源区的功率半导体器件;

嵌入在功率半导体器件中的第一温度传感器,其中第一温度传感器被放置在至少一个有源区内或者靠近该至少一个有源区;

嵌入在功率半导体器件中的第二温度传感器,其中该第二温度传感器被放置远离该至少一个有源区,比第一温度传感器更进一步远离该至少一个有源区;以及

控制电路,被配置成:

检测功率半导体器件的切断,

在检测到功率半导体器件的切断之后,经过第一预定持续时间之后检测由第一温度传感器测量的第一温度和由第二温度传感器测量的第二温度之间的温度差;以及

如果在所述第一预定持续时间过去之后的温度差低于第一预定阈值,则重启功率半导体器件;

其中,在检测到所述功率半导体器件的切断之后,在经过了第二预定持续时间之后,当所述温度差大于第二预定阈值时,所述控制电路配置成锁存所述功率半导体器件,以及

其中,当所述温度差低于第三预定阈值时,在锁存所述功率半导体器件之后,所述控制电路配置成重启所述功率半导体器件。

2.根据权利要求1所述的半导体电路装置,其中

该第一温度传感器在功率半导体器件的操作期间的最高温度所出现的位置处,被嵌入在功率半导体器件中;以及

该第二温度传感器在功率半导体器件的操作期间的最低温度所出现的位置处,被嵌入在功率半导体器件中。

3.根据权利要求1所述的半导体电路装置,进一步包括:

至少一个比较器,被配置为比较从第一和第二温度传感器接收的测量信号。

4.根据权利要求3所述的半导体电路装置,其中该控制电路被配置成通过评估至少一个比较器的结果和/或评估第一和第二温度传感器的测量信号来检测温度差。

5.根据权利要求4所述的半导体电路装置,其中该控制电路被配置成基于至少一个比较器的结果和/或第一和第二温度传感器的测量信号产生至少一个报警信号或者标志。

6.根据权利要求5所述的半导体电路装置,其中所述控制电路配置成执行下面的一种或多种:

-比较由第一或第二温度传感器测量的温度与第二预定阈值;

-检测第一温度传感器和第二温度传感器之间的温度差;

-检测该至少一个有源区的过温情形;

-检测该至少一个有源区的过电流情形;

-检测功率半导体器件的短路情形;

-切断该至少一个有源区或功率半导体器件的操作;

-启动该至少一个有源区或功率半导体器件的操作重启;

-启动该至少一个有源区或功率半导体器件的重复操作重启;

-对该至少一个有源区或功率半导体器件的操作重启次数进行计数;

-限制该至少一个有源区或功率半导体器件的操作重启次数;

-在该至少一个有源区或功率半导体器件的操作重启之前设置第一等待时间;

-在该至少一个有源区或功率半导体器件的重复操作重启之前设置第二等待时间;

-启动第一和第二温度传感器的测量;

-启动第一和第二温度传感器的重复测量;

-启动第一和第二温度传感器之间温度差的重复测量;

-在由于至少一个有源区或功率半导体器件中的过电流检测所导致的切断之后的第二预定持续时间之后启动第一和第二温度传感器的重复测量;

-对第一和第二温度传感器的测量次数进行计数;

-限制第一和第二温度传感器的测量次数;

-在第一和第二温度传感器的重复测量之前设置第三等待时间;

-在功率半导体器件的重复操作重启之前设置第四等待时间;

-在第一温度传感器的测量和第二温度传感器的测量之间设置第五等待时间;

-在功率半导体器件内执行退磁阶段;

-改变或调节任何等待时间或阈值。

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