[发明专利]高分辨率有机发光二极管器件有效
申请号: | 201810360875.0 | 申请日: | 2013-09-19 |
公开(公告)号: | CN108389887B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | C.马迪根 | 申请(专利权)人: | 科迪华公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王健;陈岚 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高分辨率 有机 发光二极管 器件 | ||
一种制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法能够包含:在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极,其中在第一电极和第二电极之间形成间隙并且其中第一电极和第二电极被定位在具有由衬底上的限制结构限定的边界的井中。方法也能够包含在带有被定位在其中的电极的井中沉积有源OLED材料以形成有源OLED材料的基本上连续的层,该有源OLED材料的基本上连续的层跨越井的边界,使得背对衬底的有源OLED材料的层的表面具有非平面形貌。沉积能够经由喷墨印刷。
本申请是申请日为2013年9月19日,申请号为201380070779.8(PCT/US2013/060687)并且发明名称为“高分辨率有机发光二极管器件”申请的分案申请。
对相关申请的交叉引用
该申请要求2013年1月17日提交的美国临时专利申请号61/753,692和2013年9月18日提交的美国非临时申请号14/030,776的优先权,其两者通过引用整体地结合在本文中。
技术领域
本公开内容的方面大体上涉及电子显示器和用于制作电子显示器的方法。更具体而言,本公开内容的方面涉及在衬底上沉积有机发光层以制造高分辨率显示器。
背景技术
在本文中使用的段落标题仅为了组织的目的并且不要被理解为以任何方式限制描述的主题内容。
电子显示器存在于许多不同种类的电子设备(诸如比如电视屏幕、计算机监视器、手机、智能手机、平板电脑、手持游戏控制台等)中。一种类型的电子显示器依赖于有机发光二极管(OLED)技术。OLED技术利用夹在设置在衬底上的两个电极之间的有机发光层。电压能够跨过电极来施加,从而引起电荷载流子被激发和被注入到有机发光层中。光发射能够当电荷载流子弛豫回到正常能态时通过光致发射来发生。因为每个像素能够单独被寻址以仅在被寻址的像素内产生光发射,所以OLED技术能够提供带有相对高对比率的显示器。由于像素的发射性质,OLED显示器也能够提供广的观看角度。OLED显示器的功率效率与其它显示技术相比能够被改进,因为OLED像素仅当直接被驱动时才消耗功率。额外地,由于该技术的光生成性质,产生的面板能够比在其它显示技术中薄得多,从而消除对在显示器本身和薄的器件结构内的光源的需要。由于有源OLED层的柔顺的性质,OLED显示器也能够被制造成柔性的和可弯曲的。
喷墨印刷是能够在OLED制造中被利用的技术,并且可以减少制造成本。喷墨印刷使用从喷嘴以高速度喷出的含有OLED层材料和一个或多个载液的墨的液滴以产生一个或多个有源OLED层,该一个或多个有源OLED层包含比如空穴注入层、空穴输运层、电子阻挡层、有机光发射层、电子输运层、电子注入层、和空穴阻挡层。
为了形成子像素并且防止OLED墨免于在限定的子像素之间扩展,在衬底上提供诸如岸(bank)的限制结构以限定限制井。喷墨印刷方法能够要求相当大的精确度。特别地,随着像素密度增加,限制井的限制面积减少并且在液滴放置中的小误差能够引起液滴被沉积在预期的井外。另外,液滴体积能够关于限制井太大并且液滴能够非期望地溢出到邻近的子像素中。此外,由于薄膜干燥非理想性,能够在限制井的边缘处形成不均匀性。随着限制井面积减少,不均匀性能够侵占像素的有源发射区域,从而创建由不均匀性引起的在来自像素的光发射中的非期望视觉伪象。此外,由于限制结构,减少每个像素的有源区域与总区域(有源区域和非有源区域两者)的比率(被称为“填充因子”),这进而能够减少显示器的寿命,因为每个像素必须使用更多的电流来驱动以实现等同的显示亮度级并且使用更多的电流来驱动每个像素对减少像素寿命是已知的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的