[发明专利]高分辨率有机发光二极管器件有效
申请号: | 201810360875.0 | 申请日: | 2013-09-19 |
公开(公告)号: | CN108389887B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | C.马迪根 | 申请(专利权)人: | 科迪华公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王健;陈岚 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高分辨率 有机 发光二极管 器件 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
在衬底上提供的限制结构,所述限制结构限定多个井中每个井的边界,所述多个井包括第一多个第一井、第二多个第二井和第三多个第三井;
设置在所述多个井中每个井内的一个或多个电极,其中设置在所述第一多个第一井内的电极数目不同于设置在所述第三多个第三井内的电极数目,并且其中设置在所述第二多个第二井内的电极数目不同于设置在所述第三多个第三井内的电极数目,其中每个电极与相应的子像素相关联;
具有第一发光波长属性的第一有机材料层,所述第一有机材料层被包含在所述多个井的多个第一井中的每一个的边界内并且连续跨越所述多个井的多个第一井中的每一个的边界;
具有第二发光波长属性的第二有机材料层,所述第二有机材料层被包含在所述多个井的多个第二井中的每一个的边界内并且连续跨越所述多个井的多个第二井中的每一个的边界;和
具有第三发光波长属性的第三有机材料层,所述第三有机材料层被包含在所述多个井的多个第三井中的每一个的边界内并且连续跨越所述多个井的多个第三井中的每一个的边界,
其中第一有机材料层、第二有机材料层和第三有机材料层中每一个的背对所述衬底的表面具有非平面形貌。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一发光波长属性与红光发射相关联,所述第二发光波长属性与绿光发射相关联,并且所述第三发光波长属性与蓝光发射相关联。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述显示器的像素由来自所述第一井中的一个、所述第二井中的一个和所述第三井中的一个中的每一个的一组电极和对应的有机材料层限定。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中该组电极包括分别设置在第一、第二和第三井中的每一个中的三个电极。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中至少所述第一井和所述第二井各自包含多个电极,设置在所述第一井内的所述多个电极中的每一个与所述显示器的不同像素相关联,并且设置在所述第二井内的所述多个电极中的每一个与所述显示器的不同像素相关联。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中第一井和第二井中的每一个包含以2x2排列设置的电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中每个第三井包含以1×2排列设置的多个电极。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中设置在所述第一井和第二井中的每一个中的所述电极彼此间隔开大于所述第一多个井和第二多个井中的相邻井之间的距离的距离。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中显示器是顶部发射显示器或有源矩阵显示器。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中显示器具有大于40%的填充因子。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中显示器具有大于60%的填充因子。
12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中显示器具有大于100ppi的分辨率。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中显示器具有大于300ppi的分辨率。
14.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中设置在所述第一井和所述第二井内的一个或多个电极中的每个电极具有具备第一区域的有源区,并且设置在所述第三井内的一个或多个电极中的每个电极具有具备第二区域的有源区,所述第二区域大于所述第一区域。
15.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中每个井与显示器的不同像素相关联。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的