[发明专利]具有嵌入式内存的系统级封装内存模块有效
申请号: | 201810354652.3 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN108847263B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 甘万达;卢超群 | 申请(专利权)人: | 钰创科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 嵌入式 内存 系统 封装 模块 | ||
1.一种具有嵌入式内存的系统级封装内存模块,其特征在于,包含:
一非内存电路;
一内存控制器;
一内存电路;及
一基板,其中所述非内存电路、所述内存控制器和所述内存电路是堆栈后共同封装于所述基板之上,所述内存电路与所述内存控制器是形成在同一片半导体芯片上,且所述内存电路和所述基板之间没有直接的金属连接,其中所述基板另用以电连接设置在所述系统级封装内存模块外的外部电路板。
2.如权利要求1所述的系统级封装内存模块,其特征在于,所述非内存电路的主动组件区是通过一引线键合与所述基板电连接,以及所述内存电路是通过面对面的凸点结构电连接所述非内存电路。
3.如权利要求1所述的系统级封装内存模块,其特征在于,所述非内存电路的主动组件区是通过一面对面的凸点结构电连接所述基板,以及所述内存电路是通过一穿硅通孔和另一面对面的凸点结构电连接所述非内存电路。
4.一种具有嵌入式内存的系统级封装内存模块,其特征在于,包含:
一非内存电路,具有一第一部分和一第二部分;
一基板,具有一窗口以及所述基板电连接所述非内存电路的第二部分;及
一内存电路,设置于所述基板的窗口且电连接所述非内存电路的第一部分;
其中所述内存电路和所述基板之间没有直接的金属连接,在所述内存电路和所述基板之间存在间隙,所述基板另用以电连接设置在所述系统级封装内存模块外的外部电路板,以及所述间隙被树脂填充。
5.如权利要求4所述的系统级封装内存模块,其特征在于,所述内存电路是一动态随机存取内存或是多个组装或堆栈在一起的动态随机存取内存,所述非内存电路是一逻辑电路。
6.如权利要求4所述的系统级封装内存模块,其特征在于,另包含:
一内存控制器,用以根据所述系统级封装内存模块的指令,存取所述非内存电路或所述内存电路的数据,用以矫正储存在所述非内存电路或所述内存电路内的数据错误,以及用以动态改变所述系统级封装内存模块的操作电压、操作频率及总线宽度的一组合。
7.如权利要求4所述的系统级封装内存模块,其特征在于,所述非内存电路包含多个核心与一第一高速缓存内存,以及包含一额外可被该所述多个核心中的每一核心分享的内部高速缓存内存。
8.如权利要求4所述的系统级封装内存模块,其特征在于,另包含:
一并行转串行总线可编程中介单元;
一第一可重构总线,耦接于所述并行转串行总线可编程中介单元与所述内存电路之间,其中所述第一可重构总线是一并行总线;及
一第二可重构总线,耦接于所述并行转串行总线可编程中介单元与所述非内存电路之间,其中所述第二可重构总线是一串行总线;
其中所述第一可重构总线和所述第二可重构总线的总线宽度或记忆深度可被动态地改变。
9.如权利要求4所述的系统级封装内存模块,其特征在于,所述树脂另设置在所述非内存电路的边缘以密封所述非内存电路的边缘。
10.如权利要求4所述的系统级封装内存模块,其特征在于,另包含:
一树脂,用以封装住所述非内存电路和所述内存电路。
11.如权利要求4所述的系统级封装内存模块,其特征在于,另包含:
一第一散热器,耦接在所述非内存电路以加速所述非内存电路的散热;及
一第二散热材料,耦接在所述内存电路以加速所述内存电路的散热。
12.如权利要求11所述的系统级封装内存模块,其特征在于,所述第二散热材料是一导热膏。
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