[发明专利]一种贴片式高压硅堆及其生产工艺

说明书

本发明公开了一种贴片式高压硅堆及其生产工艺，包括高压硅堆本体和保护机构，所述钨电极设置有两个，所述电极引线焊接在钨电极的一侧，所述管芯由多个芯片串联而成，所述钨电极焊接在管芯的对应两端，所述管芯的外侧套接有保护罩，所述钨电极位于保护罩对应两侧对应两端中心处位置处，所述保护罩的对应两侧位于钨电极对应两端位置处均粘接有插杆，所述保护机构由右固定板、左固定板、正方形固定块、缓冲杆、拉杆、连接杆、正方形固定槽、滑槽、第一通孔、第一复位弹簧、卡块、插槽、引线槽、缓冲板、第二通孔、第二复位弹簧和海绵垫组成，该高压硅堆，有利于对电极引线引线进行保护，防止运输时损坏。

技术领域

本发明涉及二极管技术领域，具体为一种贴片式高压硅堆及其生产工艺。

背景技术

高压硅堆又叫硅柱，它是一种硅高频高压整流二极管，工作电压在几千伏至几万伏之间。常用于黑白电视机或其他电子仪器中作高频高压整流，它之所以能有如此高的耐压本领，是因为它的内部是由若干个硅高频二极管的管心串联起来组合而成的，外面用高频陶瓷进行封装。

但是一般的高压硅堆本体上并没有设置保护机构，由于高压硅堆本体上焊接有电极引线，在运输容易被折弯，从而造成电极引线的损坏，针对这种缺陷，所以我们设计一种贴片式高压硅堆及其生产工艺，来解决电极引线的保护问题，提高其使用寿命，运输时有利于防止电极引线折弯损坏。

发明内容

本发明的目的在于提供一种贴片式高压硅堆及其生产工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种贴片式高压硅堆，包括高压硅堆本体和保护机构，所述高压硅堆本体由插杆、电极引线、保护罩、钨电极和管芯组成，所述钨电极设置有两个，所述电极引线焊接在钨电极的一侧，所述管芯由多个芯片串联而成，所述钨电极焊接在管芯的对应两端，所述管芯的外侧套接有保护罩，所述钨电极位于保护罩对应两侧对应两端中心处位置处，所述保护罩的对应两侧位于钨电极对应两端位置处均粘接有插杆，所述保护罩的外侧设置有保护机构，所述保护机构由右固定板、左固定板、正方形固定块、缓冲杆、拉杆、连接杆、正方形固定槽、滑槽、第一通孔、第一复位弹簧、卡块、插槽、引线槽、缓冲板、第二通孔、第二复位弹簧和海绵垫组成，所述右固定板和左固定板分别设置在高压硅堆本体的对应两侧，所述右固定板和左固定板的一侧中心处均开设有引线槽，所述引线槽的一侧贴合有海绵垫，所述右固定板和左固定板的一侧位于引线槽对应两侧位置处均开设有插槽，所述插槽的内侧开设有第二通孔，且第二通孔的一端与外部空气联通，所述插槽的对应两侧通过缓冲板连接，所述缓冲板的一侧中心处通过强力胶粘接有缓冲杆，所述缓冲板的一侧粘接有第二复位弹簧，且第二复位弹簧套接在缓冲杆的外侧，所述第二复位弹簧的另一端与插槽内侧接触，所述正方形固定槽开设有两个，所述正方形固定槽位于左固定板上插槽的一侧，所述正方形固定槽的一侧开设有滑槽，所述滑槽的一侧开设有第一通孔，且第一通孔穿过左固定板一侧与空气联通，所述拉杆的一端穿过第一通孔和滑槽内部与卡块连接，所述卡块的一侧粘接有第一复位弹簧，且第一复位弹簧套接在拉杆的外侧，所述连接杆设置有两个，所述连接杆粘接在右固定板上插槽的一侧，所述连接杆的一端粘接有正方形固定块，所述右固定板通过正方形固定块、连接杆和正方形固定槽与左固定板连接，所述插杆与插槽配合使用，所述电极引线与引线槽配合使用。

一种贴片式高压硅堆生产工艺，包括如下步骤：步骤一，芯片成型；步骤二，部件的组装；步骤三，保护机构的安装；

其中在上述的步骤一中，将管芯进行磷纸烧除及磷预沉积，对管芯的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化，一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，管芯背面也要用胶保护，一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟完成后通过混合酸进行两次清洗，时间各5min，清洗后再利用大量去离子水冲洗，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜，二次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，经检验合格进行切割形成芯片；