[发明专利]一种贴片式高压硅堆及其生产工艺

权利要求书

1.一种贴片式高压硅堆，包括高压硅堆本体(1)和保护机构(2)，其特征在于：所述高压硅堆本体(1)由插杆(5)、电极引线(6)、保护罩(7)、钨电极(8)和管芯(9)组成，所述钨电极(8)设置有两个，所述电极引线(6)焊接在钨电极(8)的一侧，所述管芯(9)由多个芯片(10)串联而成，所述钨电极(8)焊接在管芯(9)的对应两端，所述管芯(9)的外侧套接有保护罩(7)，所述钨电极(8)位于保护罩(7)对应两侧对应两端中心处位置处，所述保护罩(7)的对应两侧位于钨电极(8)对应两端位置处均粘接有插杆(5)，所述保护罩(7)的外侧设置有保护机构(2)，所述保护机构(2)由右固定板(3)、左固定板(4)、正方形固定块(11)、缓冲杆(12)、拉杆(13)、连接杆(14)、正方形固定槽(15)、滑槽(16)、第一通孔(17)、第一复位弹簧(18)、卡块(19)、插槽(20)、引线槽(21)、缓冲板(22)、第二通孔(23)、第二复位弹簧(24)和海绵垫(25)组成，所述右固定板(3)和左固定板(4)分别设置在高压硅堆本体(1)的对应两侧，所述右固定板(3)和左固定板(4)的一侧中心处均开设有引线槽(21)，所述引线槽(21)的一侧贴合有海绵垫(25)，所述右固定板(3)和左固定板(4)的一侧位于引线槽(21)对应两侧位置处均开设有插槽(20)，所述插槽(20)的内侧开设有第二通孔(23)，且第二通孔(23)的一端与外部空气联通，所述插槽(20)的对应两侧通过缓冲板(22)连接，所述缓冲板(22)的一侧中心处通过强力胶粘接有缓冲杆(12)，所述缓冲板(22)的一侧粘接有第二复位弹簧(24)，且第二复位弹簧(24)套接在缓冲杆(12)的外侧，所述第二复位弹簧(24)的另一端与插槽(20)内侧接触，所述正方形固定槽(15)开设有两个，所述正方形固定槽(15)位于左固定板(4)上插槽(20)的一侧，所述正方形固定槽(15)的一侧开设有滑槽(16)，所述滑槽(16)的一侧开设有第一通孔(17)，且第一通孔(17)穿过左固定板(4)一侧与空气联通，所述拉杆(13)的一端穿过第一通孔(17)和滑槽(16)内部与卡块(19)连接，所述卡块(19)的一侧粘接有第一复位弹簧(18)，且第一复位弹簧(18)套接在拉杆(13)的外侧，所述连接杆(14)设置有两个，所述连接杆(14)粘接在右固定板(3)上插槽(20)的一侧，所述连接杆(14)的一端粘接有正方形固定块(11)，所述右固定板(3)通过正方形固定块(11)、连接杆(14)和正方形固定槽(15)与左固定板(4)连接，所述插杆(5)与插槽(20)配合使用，所述电极引线(6)与引线槽(21)配合使用。

2.根据权利要求1的一种贴片式高压硅堆，其特征在于：所述保护罩(7)为一种陶瓷材料构件。

3.根据权利要求1的一种贴片式高压硅堆，其特征在于：所述插杆(5)设置有四个，所述插槽(20)在右固定板(3)和左固定板(4)上各设置有两个。

4.根据权利要求1的一种贴片式高压硅堆，其特征在于：所述拉杆(13)通过强力胶与卡块(19)粘接。

5.根据权利要求1的一种贴片式高压硅堆，其特征在于：所述卡块(19)的外径等于滑槽(16)的内径。

6.一种用于制备权利要求1所述的贴片式高压硅堆的生产工艺，其特征在于，权利要求1中的一种贴片式高压硅堆的生产工艺，包括如下步骤：步骤一，芯片成型；步骤二，部件的组装；步骤三，保护机构的安装；

其中在上述的步骤一中，将管芯进行磷纸烧除及磷预沉积，对管芯的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化，一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，管芯背面也要用胶保护，一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟完成后通过混合酸进行两次清洗，时间各5min，清洗后再利用大量去离子水冲洗，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜，二次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，经检验合格进行切割形成芯片；

其中在上述的步骤二中，再将含有钨电极的电极引线焊接在芯片的两端，再将保护罩套接在管芯的外侧；

其中在上述的步骤三中，将插杆与插槽配合使用，电极引线与引线槽配合使用，再将右固定板通过正方形固定块、连接杆和正方形固定槽与左固定板连接，形成保护机构，将保护机构安装在高压硅堆本体外侧。