[发明专利]包括多个层叠的晶片的半导体封装在审
| 申请号： | 201810353122.7 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN109390294A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 权亨哲;金培用;朴钟爀 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 基础晶片 半导体封装 边缘区域 密封剂层 凸状结构 侧表面 暴露 填充 覆盖 | ||
1.一种半导体封装，该半导体封装包括：
核心晶片，所述核心晶片层叠在基础晶片上以暴露所述基础晶片的边缘区域；以及
密封剂层，该密封剂层被设置为覆盖所述核心晶片的侧表面以及所述基础晶片的暴露的边缘区域的表面，
其中，所述基础晶片的所述边缘区域的表面包括由所述密封剂层至少部分地填充的凹/凸状结构。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述凹/凸状结构包括从所述基础晶片的所述边缘区域的表面凹陷的凹部以及位于所述凹部之间以从所述凹部的底表面突出的凸部。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，在平面图中，所述凹部是在与所述核心晶片的所述侧表面平行的方向上延伸的沟槽。
4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，在平面图中，各个所述沟槽具有与所述核心晶片的所述侧表面平行地延伸的直线形状。
5.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述沟槽彼此平行。
6.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述密封剂层延伸到所述凹部的中空空间中以提供所述密封剂层的突起。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，在平面图中，所述凹/凸状结构包括分别位于所述基础晶片的拐角部分处的网格状凹部。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述基础晶片的侧表面分别与所述密封剂层的外侧表面垂直地对齐。
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述基础晶片和所述核心晶片构成高带宽存储器HBM装置。
10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述基础晶片和所述核心晶片通过硅通孔TSV彼此电连接。
11.一种半导体封装，该半导体封装包括：
第一半导体封装，该第一半导体封装包括层叠在基础晶片上以暴露所述基础晶片的边缘区域的核心晶片以及被设置为覆盖所述核心晶片的侧表面以及所述基础晶片的暴露的边缘区域的表面的第一密封剂层，其中，所述基础晶片的所述边缘区域的表面包括由所述密封剂层至少部分地填充的凹/凸状结构；
互连结构化层，所述第一半导体封装被安装在该互连结构化层上；
半导体器件，该半导体器件被设置在所述互连结构化层上以位于所述第一半导体封装旁边；以及
第二密封剂层，该第二密封剂层覆盖所述第一半导体封装和所述半导体器件。
12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述凹/凸状结构包括从所述基础晶片的所述边缘区域的表面凹陷的凹部以及位于所述凹部之间以从所述凹部的底表面突出的凸部。
13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，在平面图中，所述凹部是在与所述核心晶片的所述侧表面平行的方向上延伸的沟槽。
14.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，所述第一密封剂层延伸到所述凹部的中空空间中以提供所述密封剂层的突起。
15.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，在平面图中，所述凹/凸状结构包括分别位于所述基础晶片的拐角部分处的网格状凹部。
16.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述基础晶片和所述核心晶片构成高带宽存储器HBM装置。
17.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述基础晶片和所述核心晶片通过硅通孔TSV彼此电连接。
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