[发明专利]沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应晶体管的结构

权利要求书

1.一种沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应晶体管的结构，其特征在于，该结构包含：

一金属层，分别设置于该结构的一上表面与一底面，以分别形成一源极与一漏极，以作为该结构与外界连结的电极；

一N型半导体基板，设置于该漏极上；

一N型漂移区，设置于该N型半导体基板上；

一N型电流分散层，设置于该N型漂移区上；

一P型阱，设置于该电流分散层上；

一N型半导体层，设置于该P型阱上；

一第一P型半导体层，相邻于该N型半导体层并设置于该P型阱上；

一沟槽，延伸通过该N型半导体层、该P型阱以及该N型电流分散层，该沟槽的底部终止于该N型漂移区；

一绝缘层，设置于该沟槽内；

一分离栅极，设置于该沟槽的该绝缘层中并被该绝缘层所包覆，且该分离栅极接地；

一栅极，设置于该沟槽的该绝缘层中，且在该分离栅极之上；以及

一半导体保护层，设置于该沟槽的底部以下，并相邻于该N型漂移区，且该绝缘层设置于该半导体保护层之上，用以在该结构关断偏压时，保护该绝缘层被电场所击穿，且该半导体保护层接地；

其中，该栅极与该分离栅极被该绝缘层所区隔出一预设间距；以及，该栅极的底部深度位置深于该P型阱与该N型电流分散层的交界面；该结构为使用于碳化硅的沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应晶体管的结构，该分离栅极的底面接触该半导体保护层上缘，且该分离栅极以及该栅极为一多晶硅。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该半导体保护层与分离栅极接地，避免该半导体保护层与分离栅极间有漏电流产生。

3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该N型半导体基板、该N型电流分散层、该N型漂移区与该N型半导体层中掺杂的一N型半导体且浓度为：

该N型漂移区该N型电流分散层。

4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该栅极与该分离栅极之间的电容值小于该栅极与该N型电流分散层之间的电容值；该栅极与该P型阱之间距离小于该预设间距。

5.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该半导体保护层为一第二P型半导体层。