[发明专利]位线/存储节点接触栓塞和多晶硅接触薄膜的制造方法在审

申请号：	201810347664.3	申请日：	2018-04-18
公开（公告）号：	CN108538780A	公开（公告）日：	2018-09-14
发明（设计）人：	王宏付	申请（专利权）人：	睿力集成电路有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L21/20
代理公司：	北京市铸成律师事务所 11313	代理人：	张臻贤;武晨燕
地址：	230000 安徽省合肥市***	国省代码：	安徽;34
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	位线接触衬底位线接触孔机台薄膜沉积炉管栓塞绝缘层自然氧化层刻蚀存储节点接触降低接触电阻多晶硅接触覆盖绝缘层电性能位线置入沉积去除填充制造
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明至少提供一种位线接触栓塞的制造方法，包括：提供一衬底，衬底具有在绝缘层中的位线接触孔；将具有位线接触孔的衬底置入一沉积炉管机台中，并通过化学气相刻蚀方法去除形成于位线接触孔底部的自然氧化层，其中，自然氧化层形成于衬底在进入沉积炉管机台前的等待过程中；在沉积炉管机台内沉积位线接触薄膜于衬底上方，使位线接触薄膜填充于位线接触孔并覆盖绝缘层；以及刻蚀位线接触薄膜，直到露出绝缘层，以形成位线接触栓塞，该技术方案可以降低接触电阻，提高电性能。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种位线接触栓塞、存储节点接触栓塞和多晶硅接触薄膜的制造方法。

背景技术

在DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)器件的制造过程中，需要沉积多晶硅(polysilicon，简称poly)以形成位线接触(Bit line contact)导电结构和存储节点接触(Storage node contact)导电结构。随着集成电路的尺寸微缩，对poly的接触电阻的要求越来越高。

在进入炉管机台沉积poly前的等待时间中，前层poly或硅衬底的裸露处由于氧化会形成自然氧化层，自然氧化层会影响接触电阻，降低位线接触导电结构和存储节点接触导电结构的导电能力。现有技术中，在poly沉积前通过湿法清洗的方式去除自然氧化层，但这种方式需要严格管控Wet clean到poly沉积之间的等待时间，不仅控制困难，而且会使接触电阻受等待时间不同而波动较大；还有一种方式是在等待时间做氮气(N₂)吹拂以降低环境中的氧气浓度，从而缓解自然氧化层的形成，但这种方式需要延长等待时间。

发明内容

本发明实施例提供一种位线接触栓塞、存储节点接触栓塞和半导体器件的制造方法，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本发明实施例的一个方面，本发明实施例提供一种位线接触栓塞的制造方法，包括：

提供一衬底，所述衬底具有在绝缘层中的位线接触孔；

将具有所述位线接触孔的所述衬底置入一沉积炉管机台中，并通过化学气相刻蚀方法去除形成于所述位线接触孔底部的自然氧化层，其中，所述自然氧化层形成于所述衬底在进入所述沉积炉管机台前的等待过程中；

在所述沉积炉管机台内沉积位线接触薄膜于所述衬底上方，使所述位线接触薄膜填充于所述位线接触孔并覆盖所述绝缘层；以及

刻蚀所述位线接触薄膜，直到露出所述绝缘层，以形成位线接触栓塞。

优选地，所述化学气相刻蚀方法包括：

控制所述沉积炉管机台内的压强在0.1托至100托的范围内，以及所述沉积炉管机台内的温度在100摄氏度至625摄氏度的范围内；

向所述沉积炉管机台通入刻蚀气体，所述刻蚀气体选自于由氟化氢、三氟化氯和三氟化氮所构成的群组的其中之一；

将所述刻蚀气体保持在所述沉积炉管机台中预定时间，以使所述刻蚀气体与所述自然氧化层进行反应；以及

对所述沉积炉管机台循环抽真空和注入氮气，使残余的刻蚀气体以及所述刻蚀气体与所述自然氧化层的反应副产物气体排出所述沉积炉管机台。