[发明专利]位线/存储节点接触栓塞和多晶硅接触薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种位线接触栓塞的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底具有在绝缘层中的位线接触孔；

将具有所述位线接触孔的所述衬底置入一沉积炉管机台中，并通过化学气相刻蚀方法去除形成于所述位线接触孔底部的自然氧化层，其中，所述自然氧化层形成于所述衬底在进入所述沉积炉管机台前的等待过程中；

在所述沉积炉管机台内沉积位线接触薄膜于所述衬底上方，使所述位线接触薄膜填充于所述位线接触孔并覆盖所述绝缘层；以及

刻蚀所述位线接触薄膜，直到露出所述绝缘层，以形成位线接触栓塞。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述化学气相刻蚀方法包括：

控制所述沉积炉管机台内的压强在0.1托至100托的范围内，以及所述沉积炉管机台内的温度在100摄氏度至625摄氏度的范围内；

向所述沉积炉管机台通入刻蚀气体，所述刻蚀气体选自于由氟化氢、三氟化氯和三氟化氮所构成的群组的其中之一；

将所述刻蚀气体保持在所述沉积炉管机台中预定时间，以使所述刻蚀气体与所述自然氧化层进行反应；以及

对所述沉积炉管机台循环抽真空和注入氮气，使残余的刻蚀气体以及所述刻蚀气体与所述自然氧化层的反应副产物气体排出所述沉积炉管机台。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述预定时间根据所述自然氧化层的厚度进行设定，以使所述自然氧化层被完全反应。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述提供一衬底的步骤包括：

制备所述衬底；

形成器件隔离结构和埋入式栅极于所述衬底中；

形成绝缘层于所述衬底的上方；

刻蚀所述绝缘层，直到露出所述衬底，以在所述绝缘层中形成所述位线接触孔；

清洗具有所述位线接触孔的所述衬底。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，清洗具有所述位线接触孔的所述衬底的方式包括湿法清洗。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述位线接触薄膜的材料选自于多晶硅，所述位线接触薄膜的沉积是通过低压化学气相沉积方式、原子层沉积方式、原子层种子沉积结合低压化学气相沉积的复合方式以及等离子体增强化学气相沉积方式中的一种来进行的。

7.根据权利要求1至6任一项所述的制造方法，其特征在于，所述位线接触薄膜的材料选自于原位P掺杂多晶硅，所述位线接触薄膜的沉积步骤包括：

控制所述沉积炉管机台内的压强在0.05托至4托的范围内，以及所述沉积炉管机台内的温度在350摄氏度至625摄氏度的范围内；以及

以饱和吸附原子层种子的沉积方式沉积所述原位P掺杂多晶硅，其中，控制掺杂P的浓度为每立方厘米10¹⁹个至每立方厘米5×10²¹个。

8.一种存储节点接触栓塞的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底具有覆盖位线的绝缘结构以及在所述绝缘结构中的存储节点接触槽；

将具有所述存储节点接触槽的所述衬底置入一沉积炉管机台中，并通过化学气相刻蚀方法去除自然氧化层，其中，所述自然氧化层形成于所述存储节点接触槽底部的衬底上并形成于所述衬底在进入所述沉积炉管机台前的等待过程中；

在所述沉积炉管机台内沉积存储节点接触薄膜于所述衬底上方，使所述存储节点接触薄膜填充于所述存储节点接触槽中并覆盖所述绝缘结构；以及

图案化刻蚀所述存储节点接触薄膜以形成存储节点接触栓塞。