[发明专利]一种新型背腐蚀刻边工艺

说明书

本发明公开的属于太阳能电池技术领域，具体为一种新型背腐蚀刻边工艺，该新型背腐蚀刻边工艺包括如下步骤：S1：制绒：对晶硅片表面进行预清洗并干燥，然后采用酸液对晶硅片进行腐蚀，将多晶表面做成凹坑状，得到陷光性能良好的绒面；S2：扩散；S3：背腐蚀；S4：镀减反射膜：在晶硅片的表面采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积减反射膜；S5：丝网印刷金属化；S6：烧结：把晶硅片放入烧结炉中，烧结温度控制在300‑900摄氏度，烧结时间为58‑62秒，S7：分类检测、测试、包装，提高了电池的效率，节省了化学原料，边缘无刻边，背面腐蚀均匀，避免气泡和腐蚀不均匀带来的影响，大大降低了破片率，工艺简单，成本低廉。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体为一种新型背腐蚀刻边工艺。

背景技术

当前影响光电池大规模应用的主要障碍是它的制造成本太高，在众多发电技术中，太阳能光电仍是花费最高的一种形式，因此发展阳光发电技术的主要目标是通过改进现有的制造工艺，设计新的电池结构，开发新颖电池材料等方式降低制造成本，提高光电转换效率。目前多数公司为了降低成本、差异化经营，都在对高效电池的研发大力投入，PERC电池、MWT电池、HIT、IBC电池等高效电池都是研发的热点。目前传统工艺生产下进行背腐刻蚀时，边缘容易产生药液残留和刻边宽的情况，为此，我们提出一种新型背腐蚀刻边工艺。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型背腐蚀刻边工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种新型背腐蚀刻边工艺，该新型背腐蚀刻边工艺包括如下步骤：

S1：制绒：对晶硅片表面进行预清洗并干燥，然后采用酸液对晶硅片进行腐蚀，将多晶表面做成凹坑状，得到陷光性能良好的绒面；

S2：扩散：将磷化物掺入晶硅片的表面，并使得磷原子扩散；

S3：背腐蚀：让扩散后的晶硅片带有PN结的那一面朝上，通过滚轮带混合酸的方式去除扩散后晶硅片周边的PN结；

S4：镀减反射膜：在晶硅片的表面采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积减反射膜；

S5：丝网印刷金属化：用丝网印刷的方法在晶硅片的背面和正面印上背电极、背电场、正电极，形成有效的点成和引出电极；

S6：烧结：把晶硅片放入烧结炉中，烧结温度控制在300-900摄氏度，烧结时间为58-62秒；

S7：分类检测、测试、包装。

优选的，所述步骤S1中的酸液为硝酸、氢氟酸、硫酸和水的混合液。

优选的，所述步骤S2中的磷化物为三氯氧磷。

优选的，所述步骤S3中的混合酸包括氢氟酸、硝酸和添加剂。

优选的，所述步骤S4中的沉积减反射膜的具体方法为：将经过晶硅片置于石墨舟中，在450-500摄氏度下、含有硅烷与氨气的混合气体氛围中进行沉积减反射膜。

优选的，所述步骤S6中的烧结方法为，采用缓慢升温的方式进行烧结，且升温速率为8-10摄氏度/秒。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该发明提出的一种新型背腐蚀刻边工艺，提高了电池的效率，节省了化学原料，边缘无刻边，背面腐蚀均匀，避免气泡和腐蚀不均匀带来的影响，大大降低了破片率，工艺简单，成本低廉。

附图说明

图1为本发明工艺流程图。

具体实施方式